Состоялось очередное заседание постоянно действующего научного семинара «Физика конденсированного состояния»

18 сентября состоялось очередное заседание постоянно действующего научного семинара «Физика конденсированного состояния» на базе кафедры наноэлектроники под руководством академика РАН д.ф.-м.н. Александра Сергеевича Сигова. На семинаре были обсужден доклад Морозова А.И. (МФТИ), Берзина А.А., Сигова А.С. (РТУ МИРЭА): «Чисто антиферромагнитная магнитоэлектрическая память на основе Cr2O3 ».

Рассмотрены физические характеристики бита магнитоэлектрической памяти на основе антиферромагнетика Cr2O3, обладающего линейным магнитоэлектрическим эффектом. Получена оценка для величины минимального объема бита, обусловленная существованием суперпарамагнитного порога, сформулированы условия, необходимые для организации процесса считывания с помощью магнитного туннельного соединения (MTJ). Найдены оптимальные условия для замены постоянного магнитного поля обменным полем ферромагнетика.

В обсуждении докладов приняли активное участие все присутствовавшие на научном семинаре. В том числе, профессор М.С. Блантер (РТУ МИРЭА), профессор А.И. Морозов (МФТИ), профессор Е.Д. Мишина (РТУ МИРЭА), профессор В.С. Покатилов (РТУ МИРЭА), профессор К.А. Воротилов (РТУ МИРЭА) и другие.