Научно-образовательный центр «Технологический центр»

Воротилов Константин Анатольевич

Директор
д.т.н., лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники
Адрес: пр. Вернадского, 78, В-220 – В-222, В-201б
IP: 3023, 3042, 3025
Тел: +7 499 215-65-65 доб.: 3023, 3042, 3025
E-mail: techcenter@mirea.ru

Режим работы:
пн 11.00-20.00
вт 11.00-20.00
ср 11.00-20.00
чт 11.00-20.00
пт 11.00-20.00

Положение о Научно-образовательном центре «Технологический центр»	Файлы
Приказ № 1517 от 31.10.2018 «О внесении изменений в Положение о Научно-образовательном центре «Технологический центр».	Скачать

НОЦ «Технологический центр» создан в 2012 г. с целью решения задач разработки новых технологий для перспективной элементной базы электроники и подготовки специалистов в данном направлении.

Состав НОЦ:

• Отдел технологических исследований , в т.ч. участок синтеза пленкообразующих растворов и участок формирования гетероструктур с установками роста, отжига и кристаллизации.
• Отдел метрологии и разработки , имеющий в своем распоряжении комплекс измерительных средств для контроля электрофизических и оптических параметров полупроводниковых гетероструктур и устройств на их основе.

Основные направления деятельности:
Технологии

• технологии диэлектрических тонких пленок и наноструктур, в том числе активных диэлектриков
• пленкообразующие растворы и методы формирования сегнетоэлектрических гетероструктур (PZT, BST, BFO и др.)
• пленкообразующие растворы и методы формирования пористых изолирующих диэлектриков с низкой диэлектрической проницаемостью (low-k) методами молекулярной самосборки
• пленкообразующие растворы для получения различных оксидов (Si, Ti, Zr и др.) и неорганически-органических гибридов
• процессы планаризации в BEOL и FEOL процессах
• сегнетоэлектрические тонкие пленки, гетеро- и наноструктуры, композиты
• CSD и ALD технологии

Химическая лаборатория и технологический участок с локальной чистой зоной

Нанесение пленок

Устройства

• многоуровневые системы металлизации СБИС с низкой диэлектрической проницаемостью
• энергонезависимые CЗУ – FRAM, стойкие к экстремальным факторам
• пьезоэлектрические МЭМС
• датчики
• защитные, планаризующие, пассивирующие покрытия
• пленки для оптических применений

Методы контроля

• Физические процессы в диэлектриках и сегнетоэлектриках
• ВАХ, механизмы транспорта носителей заряда
• ВФХ, температурные циклы диэлектриков
• поляризация, хранение, переключение заряда, число циклов в сегнетоэлектриках
• толщина и показатель преломления (спектральная эллипсометрия)
• FTIR спектроскопия
• состав и кристаллическая структура

Эллипсометрические исследования

Исследование спектральных характеристик

Исследование электрических свойств гетероструктур

Обучение

• магистерская программа «Технологии перспективной элементной базы микро- и наноэлектроники»
• аспирантура: специальности 05.27.01 и 05.27.06

Исследование электрических свойств гетероструктур

Перспективы

• технологические и химические участки с «чистыми комнатами»
• устройства электроники на новых физических принципах

НОЦ «Технологический центр» создан приказом ректора Университета от 28.04.2012 № 191 «Об организации НОЦ» на основании решения Ученого Совета Университета от 25 апреля 2012 г., протокол № 10, и Соглашения о создании научно-образовательного центра «Технологический центр», заключенного между МГТУ МИРЭА, ОАО «Российская электроника» и ЗАО «СКАН» от 06 апреля 2012 г.

Приказом ректора Университета от 28.02.2013 № 97 «Об изменении структуры» на основании решения Ученого Совета МГТУ МИРЭА от 30 января 2013 г., протокол № 6, НОЦ «Технологический центр» преобразован в структурное подразделение факультета электроники (Институт электроники).

Приказом ректора от 01.03.2016 г. № 18-СТ путем объединения Института электроники, Института высоких технологий, Института технической эстетики и дизайна образован Физико-технологический институт и НОЦ «Технологический центр» преобразован в структурное подразделение Физико-технологического института.

Приказом ректора Университета от 25.01.2017 № 4-ст «О внесении изменения в структуру МИРЭА, утвержденную приказом МИРЭА от 09 января 2017 г. № 1-ст «Об утверждении структуры федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Московский технологический университет» на 2017 год» в целях совершенствования структуры МИРЭА НОЦ «Технологический центр» преобразован в отдельное научное структурное подразделение.

В НОЦ «Технологический центр» имеется современное специализированное оборудование, в том числе: химическая лаборатория для работы с металлорганическими соединениями высокой степени чистоты, технологический участок с локальной чистой зоной (установка для нанесения пленок методом центрифугирования Laurell, установка Hotplate/Coolplate, диффузионные печи, установка быстрого термического отжига, установка атомно-слоевого осаждения), измерительное оборудование (многофункциональный комплекс для измерения и анализа электрофизических характеристик MDC, система измерений электрофизических характеристик сегнетоэлектрических материалов aixACCT, ИК-Фурье спектрометр, многоволновая эллипсометрическая система).

Основные направления, объекты и цели исследований

Направления исследований:

• Перспективные технологические процессы микро- и наноэлектроники, в т.ч. методы, материалы и прекурсоры для химического осаждения из растворов (CSD), атомарно-слоевого осаждения (ALD); high-k и low-k материалы, и пр.
• Материалы для перспективной элементной базы: активные диэлектрики, сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики, функциональные перовскиты, нанопористые диэлектрики, пористые сегнетоэлектрики, неорганически-органические гибриды, композиты и пр.

Цель исследований:
Создание элементной базы микро- и наноэлектроники на новых физических принципах.

Результаты работ с указанием значимых наград и достижений.

Коллектив авторов под руководством академика РАН А.С.Сигова является пионером в области интегрированных сегнетоэлектрических устройств. Основные результаты исследований:

1. Теоретическое и экспериментальное обоснование нового направления в микроэлектронике: интегрированные сегнетоэлектрические устройства.
   Создано новое направление – активные диэлектрики для элементной базы информационных систем, в рамках которого разработаны и проектируются радиационностойкие высокоскоростные энергонезависимые запоминающие устройства высокой степени интеграции для работы в устройствах специального назначения, микроэлектромеханические системы и датчики. Разработан полный цикл технологии формирования сегнетоэлектрических элементов, интегрированных с технологической базой микроэлектроники.
2. Научные основы золь гель технологии сегнетоэлектрических тонких пленок и гетероструктур.
   Разработаны технологии формирования многокомпонентных оксидных гетероструктур на основе сегнетоэлектрических перовскитов: цирконата-титаната свинца, титаната бария-стронция, танталата висмута стронция.
3. Метод химического осаждения из растворов простых оксидов и органически-модифицированных силикатов.
   Разработаны новые технологические методы формирования диэлектрических пленок в микро- и наноэлектронике, обеспечивающие формирование тонких пленок широкого класса оксидов, неорганически-органических гибридов, наноструктурированных слоев.
4. Метод планаризации многоуровневых систем металлизации СБИС.
   Разработан и внедрен в производство метод планаризации (сглаживания рельефа) межуровневого диэлектрика, позволивший повысить процент выхода и надежность СБИС.
5. Метод формирования изолирующих диэлектрических слоев многоуровневых систем металлизации СБИС с низкой диэлектрической проницаемостью – low-k.
   Разработаны методы формирования и технологические маршруты, методы синтеза пленкообразующих растворов для процессов формирования диэлектриков с низкой диэлектрической проницаемостью (low-k) многоуровневых систем металлизации СБИС.
6. Впервые предложен, научно обоснован и промышленно реализован метод химического осаждения из растворов с изменяемой температурой подложки.
7. Разработаны новые принципы дальнейшего повышения скорости и объемов обработки информационных массивов путем создания устройств на основе сегнетоэлектрических наноструктур.

Сотрудники НОЦ «Технологический центр» отмечены рядом наград, в том числе почетными грамотами и дипломами выставок INTERPOLITEX (Средства обеспечения безопасности государства), MIIF (Moscow International Industrial Fair), а также РАСУ (Российское агентство по системам управления), Института кристаллографии РАН, почетными медалями и знаками Минобрнауки России, Российской академии естественных наук, Международной академии наук о природе и обществе.

Список основных публикаций

Статьи (всего более 250):

2019

1.     Podgorny Y.V., Vorotilov K.A., Sigov A.S., Scott J.F. Dead layer thickness estimation at the ferroelectric film-metal interface in PZT // Applied Physics Letters. – 2019. – V. 114. – № 13. – P. 132902(1-5). – DOI 10.1063/1.5084019.

2.     Vishnevskiy A.S., Seregin D.S., Vorotilov K.A., Sigov A.S., Mogilnikov K.P., Baklanov M.R. Effect of water content on the structural properties of porous methyl-modified silicate films // Journal of Sol-Gel Science and Technology. – 2019. – P. 1-9. – DOI 10.1007/s10971-019-05028-w.

3.     Gismatulin A.A., Gritsenko V.A., Seregin D.S., Vorotilov K.A., Baklanov M.R. Charge transport mechanism in periodic mesoporous organosilica low-k dielectric // Applied Physics Letters. – 2019. – V. 115. – № 14. – P. 082904(1-5). – DOI 10.1063/1.5113633.

4.     Seregin D.S., Naumov S., Chang W.-Y., Wu Y.-H., Wang Y., Kotova N.M., Vishnevskiy A.S., Wei S., Zhang J., Vorotilov K.A., Redzheb M., Leu J., Baklanov M.R. Effect of the C-bridge on UV properties of organosilicate films // Thin Solid Films. – 2019. – V. 685. – P. 329-334. – DOI 10.1016/j.tsf.2019.06.050.

5.     Baklanov M.R., Jousseaume V., Rakhimova T.V., Lopaev D.V., Mankelevich Y.A., Afanas'ev V.V., Shohet J.L., King S.W., Ryan E.T. Impact of VUV photons on SiO2 and organosilicate low-k dielectrics: General behavior, practical applications, and atomic models // Applied Physics Reviews. – 2019. – V. 6. – № 1. – P. 011301(1-63). – DOI 10.1063/1.5054304.

6.     Xu H., Hu Z.-J., Qu X.-P., Wan H., Yan S.-S., Li M., Chen S.-M., Zhao Y.-H., Zhang J., Baklanov M.R. Effect of thickness scaling on the permeability and thermal stability of Ta(N) diffusion barrier // Applied Surface Science. – 2019. – V. 498. – P. 143887. – DOI 10.1016/j.apsusc.2019.143887.

7.     Podgorny Y., Antonovich A.N., Vorotilov K., Sigov A. Discharge currents in dense and porous PZT films // Ferroelectrics. – 2019. – V. 544. – № 1. – P. 82-87. – DOI 10.1080/00150193.2019.1598192.

8.     Abdullaev D.A., Seregin D.S., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Ion beam etching of dense and porous PZT films // Ferroelectrics. – 2019. – V. 544. – № 1. – P. 75-81. – DOI 10.1080/00150193.2019.1598188.

9.     Ovchinnikov I.S., Vorotilov K.A., Seregin D.S., Dalskaya G.Y. Detection of idden defects in low-k dielectrics by atomic force microscopy // IOP Conference Series: Journal of Physics. – 2019. – V. 1327. – № 1. – P. 012011(1-5). – DOI 10.1088/1742-6596/1327/1/012011.

10. Жигалина О.М., Атанова А.В., Хмелениин Д.Н., Котова Н.М., Серегин Д.С., Воротилов K.A. Структурные особенности и взаимное влияние слоев композиций PZT–LNO–SiOx–Si и PZT–LNO–Si // Кристаллография. – 2019. – Т. 64. – № 6. – С. 955-961. – DOI 10.1134/S0023476119060298.

Атанова А.В., Жигалина О.М., Хмеленин Д.Н., Серегин Д.С., Воротилов К.А. Кристаллизация слоев в гетероструктурах PZT/LNO/Si // Физика твердого тела. – 2019. – Т. 61. – № 12. – С. 547-552. – DOI 10.21883/FTT.2019.12.48575.03ks.

2018

1.     Liu C., Qi Q., Seregin D.S., Vishnevskiy A.S., Wang Y., Wei S., Zhang J., Vorotilov K.A., Dultsev F.N., Baklanov M.R. Effect of terminal methyl groups concentration on properties of organosilicate glass low dielectric constant films // Japanese Journal of Applied Physics. – V. 57. – № 7. – P. 07MC01. – DOI 10.7567/JJAP.57.07MC01.

2.     Подгорный Ю.В., Воротилов К.А., Сигов А.С. Определение стационарного тока утечки в структурах с пленками сегнетоэлектрической керамики // Физика твердого тела. – 2018. – Т. 60. – № 3. – С. 431-434. – DOI 10.21883/FTT.2018.03.45539.02D (Podgornyi Y.V., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Determination of the Steady State Leakage Current in Structures with Ferroelectric Ceramic Films // Physics of the Solid State. – 2018. – V. 60. – № 3. – P. 433-436. – DOI 10.1134/S1063783418030253).

3.     Ненашев Р.Н., Вишневский А.С., Котова Н.М., Воротилов К.А. Свойства тонких органоалкиленсилоксановых пленок, полученных золь–гель-методом // Неорганические материалы. – 2018. – Т. 53. – № 4. – С. 423-428. – DOI 10.7868/S0002337X18040140 (Nenashev R.N., Vishnevskiy A.S., Kotova N.M., Vorotilov K.A. Properties of Sol–Gel Derived Thin Organoalkylenesiloxane Films // Inorganic Materials. – 2018. – V. 54. – № 4. – P. 405-411. – DOI 10.1134/S002016851804009X).

4.     Делимова Л.А., Гущина Е.В., Зайцева Н.В., Серегин Д.С., Воротилов К.А., Сигов А.С. Влияние кристаллической структуры на электрические свойства тонкопленочных PZT структур // Физика твердого тела. – 2018. – Т. 60. – № 3. – С. 547-552 (Delimova L.A., Guschina E.V., Zaitseva N.V., Seregin D.S., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Effect of the Crystal Structure on the Electrical Properties of Thin-Film PZT Structures // Physics of the Solid State. – 2018. – V. 60. – № 3. – P. 553-558. – DOI 10.1134/S1063783418030058).

5.     Командин Г.А., Породинков О.Е., Спектор И.Е., Волков А.А., Воротилов К.А., Серегин Д.С., Сигов А.С. Механизмы поглощения терагерцового и инфракрасного излучения в пленках PZT // Физика твердого тела. – 2018. – Т. 60. – № 6. – С. 1214-1222. – DOI 10.21883/FTT.2018.06.46003.342 (Komandin G.A., Porodinkov O.E., Spektor I.E., Volkov A.A., Vorotilov K.A., Seregin D.S., Sigov A.S. The Mechanisms of Absorption of Terahertz and Infrared Radiation in PZT Films // Physics of the Solid State. – 2018. – V. 60. – № 6. – P. 1226-1234. – DOI 10.1134/S106378341806015X).

6.     Серегин Д.С., Базирувиха А.-М., Котова Н.М., Воротилов К.А., Делимова Л.А., Зайцева Н.В., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Лукичев В.Ф. Формирование структур PZT на кремнии // Известия РАН. Серия физическая. – 2018. – Т. 82. – № 3. – С. 390-394. – DOI 10.7868/S0367676518030298 (Seregin D.S., Baziruvikha A.-M., Kotova N.M., Vorotilov K.A., Delimova L.A., Zaitseva N.V., Miakon'kikh A.V., Rudenko K.V., Lukichev V.F. Formation of PZT Structures on Silicon // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. – 2018. – V. 82. – № 3. – P. 341-345. – DOI 10.3103/S1062873818030231).

7.     Антонович А.Н., Петрушин А.А., Лапин Д.Г., Подгорный Ю.В. Исследование контактных явлений на границе раздела PZT-Pt методом наведенного тока // Известия РАН. Серия физическая. – 2018. – Т. 82. – № 3. – С. 387-389. – DOI 10.7868/S0367676518030286 (Antonovich A.N., Petrushin A.A., Lapin D.G., Podgornyi Y.V. Investigating Contact Phenomena at a PZT–Pt Interface by Means of Induced Current // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. – 2018. – V. 82. – № 3. – P. 338-340. – DOI 10.3103/S1062873818030048)

8.     Мухин Н.В., Еланская К.Г., Пухова В.М., Тарасов С.А., Воротилов К.А., Руденко М.В., Ермачихин А.В. Механизмы формирования структуры и электрические свойства фторполимерных пленок, осажденных из активной газовой фазы // Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. – 2018. – № 2. – С. 26-36.

9.     Жигалина О.М., Хмелениин Д.Н., Валиева Ю.А., Колосов В.Ю., Бокуняева А.О., Кузнецов Г.Б., Воротилов K.A., Сигов А.С. Структурные особенности пленок ЦТСЛ // Кристаллография. – 2018. – Т. 63. – № 4. – С. 620-629. – DOI 10.1134/S0023476118040318 (Zhigalina O.M., Khmelenin D.N., Valieva Y.A., Kolosov V.Y., Bokuniaeva A.O., Kuznetsov G.B., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Structural Features of PLZT Films // Crystallography Reports. – 2018. – V. 63. – № 4. – P. 646-655. – DOI 10.1134/S1063774518040314).

2017

1.     Nenashev R., Wang Y., Zhang J., Liu C., Kotova N., Vorotilov K., Zhang J., Wei S., Seregin D., Vishnevskiy A., Leu J.J., Baklanov M.R. Effect of Bridging and Terminal Alkyl Groups on Structural and Mechanical Properties of Porous Organosilicate Films // ECS Journal of Solid State Science and Technology. – 2017. – V. 6. – № 10. – P. N182-N188. – DOI 10.1149/2.0071710jss.

2.     Delimova L.A., Guschina E.V., Seregin D.S., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Unexpected behavior of transient current in thin PZT films caused by grain-boundary conduction // Journal of Applied Physics. – 2017. – V. 121. – № 22. – P. 224104. – DOI 10.1063/1.4985177.

3.     Delimova L., Guschina E., Zaitseva N., Pavlov S., Seregin D., Vorotilov K., Sigov A. Effect of seed layer with low lead content on electrical properties of PZT thin films // Journal of Materials Research. – 2017. – V. 32. – № 9. – P. 1618-1627. – DOI 10.1557/jmr.2017.156.

4.     Komandin G.A., Porodinkov O.E., Spektor I.E., Volkov A.A., Vorotilov K.A., Seregin D.S., Sigov A.S. Electrodynamic properties of porous PZT-Pt films at terahertz frequency range // Physica Status Solidi C. – 2017. – V. 14. – № 1-2. – P. 1600211(1-5). – DOI 10.1002/pssc.201600211.

5.     Rezvanov A., Miakonkikh A.V., Vishnevskiy A.S., Rudenko K.V., Baklanov M.R. Cryogenic etching of porous low-k dielectrics in CF₃Br and CF₄ plasmas // Journal of Vacuum Science & Technology B. – 2017. – V. 35. – № 2. – P. 021204(1-6). – DOI 10.1116/1.4975646.

 Конференции:

− Sigov A.S., Podgorny Y.V., Vorotilov K.A., Scott J.F. Analysis of the metal-ferroelectric interface in PZT films, International Symposium on Integrated Functionalities, Dublin, Ireland, August 11-14, 2019 (приглашенный).

− Воротилов К.А. Пористые материалы для технологий микро- и наноэлектрики, XXIII Всероссийская конференция с международным участием по неорганическим и органосиликатным покрытиям, 7-9 октября 2019 года, Санкт-Петербург (пленарный).

− Seregin D., Vishnevskiy A., Orlov G., Storonkin V., Ovchinnikov I., Vorotilov K., Baklanov M. Temperature evolution of sol-gel PMO low-k films with different organic bridges, ADMETA-2019, Tokyo, Japan.

− Vishnevskiy A., Ovchinnikov I., Seregin D., Storonkin V., Rezvanov A., Vorotilov K. Mechanical properties of porous sol-gel films, XX International Sol-Gel Conference (Sol-Gel 2019), St. Petersburg, Russia, August 25-30, 2019.

− Бакланов М.Р., Воротилов К.А., Сигов А.С. Материалы для межсоединений в суб-10 нм технологиях, Научный совет и научный семинар научного совета РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», Москва, Россия, 27 марта 2019 г.

− Vorotilov K.A., Sigov A.S. Porous materials formed by molecular self-assembly for new generation of micro- and nanoelectronic devices, New prospects for bilateral Russian-French cooperation. Materials research and biotechnology vs. large-scale science facilities, Workshop, Russian Centre for Science and Culture in Paris, October 29, 2019.

− Ovchinnikov I.S., Vorotilov K.A., Seregin D.S., Dalskaya G.Yu. Detection of hidden defects in low-k dielectrics by atomic force microscopy, V International Conference on Innovations in Non-Destructive Testing SibTest, June 26-28, 2019, Yekaterinburg, Russia.

− Sigov A., Podgorny Yu., Vorotilov K. Interface analysis in ferroelectric structures, PIERS-2019, June 17-20, 2019 Rome, Italy.

− Vorotilov K.A., Sigov A.S. Porous ferroelectric ceramics films for electronics and photonics applications PIERS-2019, June 17-20, 2019, Rome, Italy.

 Свидетельства и патенты:

− Многокомпонентная гауссовская деконволюция ИК-спектров: св-во об официальной регистрации программы для ЭВМ 2019665858 Рос. Федерация / Вишневский А.С., Воротилов К.А. – № 2019664973; заявл. 22.11.19; опубл. 02.12.19, Бюл. № 11.

− Трехкомпонентная деконволюция полос поглощения ИК-спектров с уменьшенным числом начальных значений: св-во об официальной регистрации программы для ЭВМ 2018664322 Рос. Федерация / Вишневский А.С., Воротилов К.А. – № 2018661811; заявл. 26.10.18; опубл. 14.11.18, Бюл. № 11.

− Трехкомпонентная деконволюция полос поглощения ИК-спектров: св-во об официальной регистрации программы для ЭВМ 2018610076 Рос. Федерация / Вишневский А.С., Воротилов К.А. – № 2017661116; заявл. 31.10.17; опубл. 09.01.18, Бюл. № 1.

− Пористый сегнетоэлектрический конденсатор: пат. на ПМ 162401 Рос. Федерация: МПК H01G7/06, H01L41/083 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Котова Н.М., Сигов А.С. – № 2015136172/07; заявл. 26.08.15; опубл. 10.06.16, Бюл. № 16.

− Сегнетоэлектрический конденсатор: пат. на ПМ 153583 Рос. Федерация: МПК H01G7/06 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Серегин Д.С., Сигов А.С. – № 2014152345/07; заявл. 24.12.14; опубл. 27.07.15, Бюл. № 21.

− Способ изготовления сегнетоэлектрического конденсатора: пат. 2530534 Рос. Федерация: МПК H 01 G 7/06 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Ланцев А.Н., Серегин Д.С., Сигов А.С. – № 2013144263/07; заявл. 02.10.13; опубл. 10.10.14, Бюл. № 28.
− Способ приготовления пленкообразующих растворов для формирования сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция: пат. 2490370 Рос. Федерация: МПК C 23 C 18/00, C 01 F 11/00, C 01 G 23/00 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Котова Н.М., Сигов А.С. – № 2011136110/02; заявл. 31.08.11; опубл. 20.08.13, Бюл. № 23.
− Способ получения безводного ацетата свинца (II) для приготовления безводных пленкообразующих растворов цирконата-титаната свинца: пат. 2470867 Рос. Федерация: МПК C01G21/00, C07C53/10, C07C51/41 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Котова Н.М., Сигов А.С. – № 2011127491/05; заявл. 5.07.11; опубл. 27.12.12, Бюл. № 36.
− Способ приготовления безводных пленкообразующих растворов для формирования сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца с низкой температурой кристаллизации: пат. 2470866 Рос. Федерация: МПК C 01 G 21/00, C 01 G 23/00, C 01 G 25/00, B 05 D 5/12, C 04 B 35/491 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Котова Н.М., Сигов А.С. – № 2011125586/05; заявл. 22.06.11; опубл. 27.12.12, Бюл. № 36.
− Способ приготовления безводных пленкообразующих растворов для формирования сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца: пат. 2465969 Рос. Федерация: МПК B 05 D 5/12, C 01 G 21/00, C 01 G 23/00, C 01 G 25/00, C 04 B 35/491 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Котова Н.М., Сигов А.С. – № 2011120213/05; заявл. 20.05.11; опубл. 10.11.12, Бюл. № 31.
− Способ изготовления многоуровневой металлизации интегральных микросхем с пористым диэлектрическим слоем в зазорах между проводниками: пат. 2459313 Рос. Федерация: МПК H 01 L 21/768 / Валеев А.С., Шишко В.А., Ранчин С.О., Воротилов К.А., Васильев В.А. – № 2011110621/28; заявл. 21.03.11; опубл. 20.08.13, Бюл. № 23.
− Способ изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС: пат. 2420827 Рос. Федерация: МПК H 01 L 21/283 / Красников Г.Я., Валеев А.С., Шелепин Н.А., Гущин О.П., Воротилов К.А., Васильев В.А., Аверкин С.Н. – № 2010100321/28; заявл. 11.01.10; опубл. 10.06.11, Бюл. № 23.

Монографии:

• Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства: Монография / Под ред. А.С. Сигова. – Энергоатомиздат: М., 2011. – 175 с. – ISBN 978-5-283-00872-1.
• Лучников П.А., Сигов А.С., Трефилов Д.Н., Трефилов Н.А. Волновая диэлькометрия материалов / Под ред. А.С. Сигова. – М.: Научный мир, 2014. – 300 с. – ISBN 978-5-89176-520-7.
• Иванов В.И., Лучников П.А., Сигов А.С., Суржиков А.П. Ионно-плазменные технологии в радиоэлектронике / Под ред. А.С. Сигова. – М.: Радиотехника, 2014. – 270 с. – ISBN 978-5-88070-383-8.
• Ярмоленко М.А., Рогачев А.А., Лучников П.А., Рогачев А.В., Хун Д.С. Микро- и нанокомпозиционные полимерные покрытия, осаждаемые из активной газовой фазы / Под ред. А.В. Рогачева. – М.: Радиотехника, 2016. – 424 с. – ISBN 978-5-88070-387-6.

 Проекты

 Пористые диэлектрики и сегнетоэлектрики для новых поколений устройств микро- и наноэлектроники («Силоксан», Госзадание проект № 11.2259.2017/ПЧ)

Период: 2017-2019 гг.

Электрофизические свойства сегнетоэлектрических гетероструктур для нового поколения устройств электроники («Горец», Госзадание проект № 3.5726.2017/БЧ)

Период: 2017-2019

 Сегнетоэлектрические перовскиты и композиты для устройств энергонезависимой памяти (РФФИ 19-29-03058 мк)

Период: 05.06.2019-04.06.2021

 Субтрактивная интеграция low-k материалов в суб-5 нм технологии: анализ критических свойств и процессов (РФФИ 18-29-27022 мк)

Период: 2019-2021 гг.

 Новое поколение low-k материалов с использованием процессов молекулярной самосборки: методы формирования и свойства (РФФИ 18-29-27024 мк)

Период: 2019-2021 гг.

Проект организации и проведения международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (РФФИ 18-02-20702 Г)

Период: 06.10.2018-31.12.2018

Проект организации X Всероссийской школы-конференции молодых ученых «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения – 2018» (РФФИ 18-32-10041 мол_г)

Период: 08.10.2018-31.12.2018

Диэлектрики с ультранизкой диэлектрической проницаемостью для нового поколения полупроводниковых устройств (РФФИ 18-52-52010 МНТ_а Тайвань)

Период: 26.02.2018-31.12.2020

Проект организации и проведения Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (РФФИ 17-02-20542 Г)

Период: 24.07.2017-31.12.2017

Проект организации и проведения IX Всероссийской школы-конференции молодых ученых «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения – 2017» (РФФИ 17-32-10299 мол_г)

Период: 26.07.2017-31.12.2017

Токи утечки в сегнетоэлектрических гетероструктурах (РФФИ 16-02-00845 А)

Период: 26.02.2016-31.12.2018

НОЦ «Технологический центр» совместно с кафедрой наноэлектроники ФТИ участвует в подготовке:

– аспирантов, обучающихся по специальностям 05.27.01 «Твердотельная электроника» и 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»

– студентов ФТИ по магистерской программе «Технологии перспективной элементной базы микро- и наноэлектроники»

– проводит практику и дипломное проектирование

Выпускники

Кандидаты наук:

Абдуллаев Даниил Александрович

Антонович Александр Николаевич

Корпачев Максим Юрьевич

Серегин Дмитрий Сергеевич

Магистры:

Орлов Георгий Андреевич

Зазымкина Дарья Александровна

Базирувиха Анна-Мария

Железняков Алексей Михайлович

Щеголев Олег Алексеевич

Специалисты:

Зубкова Екатерина Николаевна

Першин Владимир Александрович

Лавров Павел Павлович

Chemnitz University of Technology (TU Chemnitz)

Центр микротехнологий TU Chemnitz обладает многолетним опытом в области системной интеграции межсоединений. У подразделения имеется обширный задел в применении технологических процессов для осаждения, плазменной обработки, структурирования, металлизации и характеризации различных материалов.

Адрес: 09111, Germany, Chemnitz, Reichenhainer str., 70, Center for Microtechnologies (ZfM)

Тел.: +49 (0) 371 - 531 24060

Сайт: http://www.zfm.tu-chemnitz.de/

E-mail: info@zfm.tu-chemnitz.de

North China University of Technology (NCUT)

NCUT является многопрофильным университетом, объединяющим естественные науки и технику с гуманитарными науками, экономикой, управлением и правом. В составе 10 колледжей, 12 учебных и экспериментальных центров и 9 научно-исследовательских и проектных институтов.

Проведение совместных исследований тонких диэлектрических пленок.

Адрес: 100144, China, Beijing, Shijingshan District, Jinyuanzhuang Road, No.5, Electron information engineer college, Department of Microelectronics

Тел.: +86 (10) 88802114
Сайт: официальный сайт NCUT (http://en.ncut.edu.cn/)
E-mail: president@ncut.edu.cn

National Chiao Tung University (NCTU)

NCTU является одним из ведущих государственных научно-исследовательских университетов Тайваня. Научная группа NCTU достигла больших успехов в области low-k, межсоединений и интеграции.

Проведение совместных исследований тонких диэлектрических пленок.

Адрес: 300, Taiwan (Republic of China), Hsinchu, University Road, 1001

Тел.: +886-3-5712121

Сайт: официальный сайт NCUT (http://www.nctu.edu.tw/en)

E-mail: president@mail.nctu.edu.tw