Научно-образовательный центр «Технологический центр»

  • Воротилов Константин Анатольевич
    директор
    д.т.н.
    Москва, пр-т Вернадского, д. 78, каб. В – 306
    тел.: (495)-433-01-66
    E-mail: vorotilov@mirea.ru
    Часы приёма
    вт
    15:00 — 17:00
    пт
    15:00 — 17:00


    НОЦ «Технологический центр» создан в 2012 г. в качестве структурного подразделения Института электроники с целью решения задач разработки новых технологий для перспективной элементной базы электроники и подготовки специалистов в данном направлении.

    Состав НОЦ:
    • Отдел технологических исследований (ауд. В-222), в т.ч. участок синтеза пленкообразующих растворов и участок формирования гетероструктур с установками роста, отжига и кристаллизации.
    • Отдел метрологии и разработки (ауд. А-211, А-210), имеющий в своем распоряжении комплекс измерительных средств для контроля электрофизических и оптических параметров полупроводниковых гетероструктур и устройств на их основе.

    Основные направления деятельности:

    Технологии
    • пленкообразующие растворы для получения сегнетоэлектриков (PZT, BST, BFO и др.)
    • пленкообразующие растворы для получения оксидов (Si, Ti, Zr и др.) и неорганически-органических гибридов
    • сегнетоэлектрические тонкие пленки, гетеро- и наноструктуры
    • high-k и low-k диэлектрики

    Устройства
    • энергонезависимые CЗУ – FRAM, стойкие к экстремальным факторам
    • многоуровневые системы металлизации СБИС
    • пьезоэлектрические МЭМС

    Методы контроля
    • ВАХ, ВФХ, температурные циклы диэлектриков
    • поляризация, хранение, переключение заряда, число циклов в сегнетоэлектриках
    • толщина и показатель преломления (спектральная эллипсометрия)
    • состав и кристаллическая структура

    Обучение
    • магистерская программа «Технологии перспективной элементной базы микро- и наноэлектроники»
    • аспирантура: специальности 05.27.01 и 05.27.06

    Перспективы
    • технологические и химические участки с «чистыми комнатами»
    • новые методы осаждения: ALD и MSCSD
    • новое поколение устройств электроники на новых физических принципах
  • В НОЦ «Технологический центр» имеется современное специализированное оборудование, в том числе: химическая лаборатория для работы с металлорганическими соединениями высокой степени чистоты, технологический участок с локальной чистой зоной (установка для нанесения пленок методом центрифугирования Laurell, установка Hotplate/Coolplate, диффузионные печи, установка быстрого термического отжига, установка атомно-слоевого осаждения), измерительное оборудование (многофункциональный комплекс для измерения и анализа электрофизических характеристик MDC, система измерений электрофизических характеристик сегнетоэлектрических материалов aixACCT, ИК-Фурье спектрометр, многоволновая эллипсометрическая система).
  • НОЦ «Технологический центр» создан приказом ректора Университета от 28.04.2012 № 191 «Об организации НОЦ» на основании решения Ученого Совета Университета от 25 апреля 2012 г., протокол № 10, и Соглашения о создании научно-образовательного центра «Технологический центр», заключенного между МГТУ МИРЭА, ОАО «Российская электроника» и ЗАО «СКАН» от 06 апреля 2012 г.

    Приказом ректора Университета от 28.02.2013 № 97 «Об изменении структуры» на основании решения Ученого Совета МГТУ МИРЭА от 30 января 2013 г., протокол № 6, НОЦ «Технологический центр» преобразован в структурное подразделение факультета электроники (Институт электроники).

    Приказом ректора от 01.03.2016 г. № 18-СТ путем объединения Института электроники, Института высоких технологий, Института технической эстетики и дизайна образован Физико-технологический институт и НОЦ «Технологический центр» преобразован в структурное подразделение Физико-технологического института.
  • Основные направления, объекты и цели исследований.

    Направления исследований:
    • Перспективные технологические процессы микро- и наноэлектроники, в т.ч. методы, материалы и прекурсоры для химического осаждения из растворов (CSD), химического осаждения из газовой фазы (CVD), атомарного (молекулярного) осаждения (ALD); high-k и low-k материалы, и пр.
    • Материалы для перспективной элементной базы: активные диэлектрики, сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики, функциональные перовскиты, полимеры, композиты и пр.

    Цель исследований:
    Создание элементной базы микро- и наноэлектроники на новых физических принципах.
    Результаты работ с указанием значимых наград и достижений.

    Коллектив авторов под руководством академика РАН А.С.Сигова является пионером в области интегрированных сегнетоэлектрических устройств. Основные результаты исследований:
    1. Теоретическое и экспериментальное обоснование нового направления в микроэлектронике: интегрированные сегнетоэлектрические устройства.
      Создано новое направление – активные диэлектрики для элементной базы информационных систем, в рамках которого разработаны и проектируются радиационностойкие высокоскоростные энергонезависимые запоминающие устройства высокой степени интеграции для работы в устройствах специального назначения, неохлаждаемые матричные ИК-приемники, микроэлектромеханические системы и датчики. Разработан полный цикл технологии формирования сегнетоэлектрических элементов, интегрированных с технологической базой микроэлектроники.
    2. Научные основы золь гель технологии сегнетоэлектрических тонких пленок и гетероструктур.
      Разработаны технологии формирования многокомпонентных оксидных гетероструктур на основе сегнетоэлектрических перовскитов: цирконата-титаната свинца, титаната бария-стронция, танталата висмута стронция.
    3. Метод химического осаждения из растворов простых оксидов и органически-модифицированных силикатов.
      Разработаны новые технологические методы формирования диэлектрических пленок в микро- и наноэлектронике, обеспечивающие формирование тонких пленок широкого класса оксидов, неорганически-органических гибридов, наноструктурированных слоев.
    4. Метод планаризации многоуровневых систем металлизации СБИС.
      Разработан и внедрен в производство метод планаризации (сглаживания рельефа) межуровневого диэлектрика, позволивший повысить процент выхода и надежность СБИС.
    5. Метод формирования изолирующих диэлектрических слоев многоуровневых систем металлизации СБИС с низкой диэлектрической проницаемостью – low-k.
      Разработаны методы формирования и технологические маршруты, методы синтеза пленкообразующих растворов для процессов формирования диэлектриков с низкой диэлектрической проницаемостью (low-k) многоуровневых систем металлизации СБИС.
    6. Впервые предложен, научно обоснован и промышленно реализован метод химического осаждения из растворов с изменяемой температурой подложки.
    7. Разработаны новые принципы дальнейшего повышения скорости и объемов обработки информационных массивов путем создания устройств на основе сегнетоэлектрических наноструктур.

    Работы сотрудников НОЦ «Технологический центр» отмечены премией Правительства Российской Федерации 2011 года в области науки и техники (Распоряжение Правительства Российской Федерации от 6 февраля 2012 г. № 146-р).

    Сотрудники НОЦ «Технологический центр» отмечены рядом наград, в том числе почетными грамотами и дипломами выставок INTERPOLITEX (Средства обеспечения безопасности государства), MIIF (Moscow International Industrial Fair), а также РАСУ (Российское агентство по системам управления), Института кристаллографии РАН, почетными медалями и знаками Минобрнауки России, Российской академии естественных наук, Международной академии наук о природе и обществе.

    Список основных публикаций

    Монографии
    • Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства: Монография / Под ред. А.С. Сигова. – Энергоатомиздат: М., 2011. – 175 с. – ISBN 978-5-283-00872-1.
    • Иванов В.И., Лучников П.А., Сигов А.С., Суржиков А.П. Ионно-плазменные технологии в радиоэлектронике / Под ред. А.С. Сигова. – М.: Радиотехника, 2014. – 270 с. – ISBN 978-5-88070-383-8.

    Статьи (всего более 250):
    − Серегин Д.С., Воротилов К.А., Сигов А.С., Зубкова Е.Н., Абдуллаев Д.А., Котова Н.М., Вишневский А.С. Формирование и свойства пористых пленок цирконата-титаната свинца // Физика твердого тела. – 2015. – Т. 57. – № 3. – С. 487-490 (Seregin D.S., Vorotilov K.A., Sigov A.S., Zubkova E.N., Abdullaev D.A., Kotova N.M., Vishnevskiy A.S. Formation and properties of porous films of lead zirconate titanate // Physics of the Solid State. – 2015. – V. 57. – № 3. – P. 499-502. – DOI 10.1134/S1063783415030300).
    − Подгорный Ю.В., Лавров П.П., Воротилов К.А., Сигов А.С. Влияние изменения спонтанной поляризации на вольт-амперные характеристики сегнетоэлектрических тонких пленок // Физика твердого тела. – 2015. – Т. 57. – № 3. – С. 465-468 (Podgorny Y.V., Lavrov P.P., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Effect of spontaneous polarization change on current–voltage characteristics of thin ferroelectric films // Physics of the Solid State. – 2015. – V. 57. – № 3. – P. 476-479. – DOI 10.1134/S1063783415030221).
    − Командин Г.А., Породинков О.Е., Спектор И.Е., Волков А.А., Воротилов К.А., Серегин Д.С., Сигов А.С. Терагерцевая-инфракрасная электродинамика пленок цирконата-титаната свинца на платиновом подслое // Физика твердого тела. – 2015. – Т. 57. – № 6. – С. 1138-1142.
    − Podgorny Y., Vorotilov K., Sigov A. Negative differential conductivity in thin ferroelectric films // Applied Physics Letters. – 2014. – Т. 105. – № 18. – С. 182904 (1-4). – DOI 10.1063/1.4901317).
    − Podgorny Y., Sigov A., Vishnevskiy A., Vorotilov K. Simulation of negative differential resistivity in thin ferroelectric films // Ferroelectrics. – 2014. – V. 465. – № 1. – P. 28-35. – DOI 10.1080/00150193.2014.893738.
    − Kotova N., Podgorny Y., Seregin D., Sigov A., Vishnevskiy A., Vorotilov K. Effect of lanthanum doping on leakage currents of sol-gel PZT thin films // Ferroelectrics. – 2014. – V. 465. – № 1. – P. 54-59. – DOI 10.1080/00150193.2014.893806.
    − Котова Н.М., Воротилов К.А., Серегин Д.С., Сигов А.С. Роль прекурсоров в процессе формирования тонких пленок цирконата-титаната свинца // Неорганические материалы. – 2014. – Т. 50. – № 6. – С. 661-666. – DOI 10.7868/S0002337X14060104 (Kotova N.M., Vorotilov K.A., Seregin D.S., Sigov A.S. Role of precursors in the formation of lead zirconate titanate thin films // Inorganic Materials. – 2014. – V. 50. – № 6. – P. 612-616. – DOI 10.1134/s0020168514060107).
    − Подгорный Ю.В., Вишневский А.С., Воротилов К.А., Лавров П.П., Ланцев А.Н. Электрофизические свойства пленок ЦТС, легированных лантаном // Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43. – № 6. – С. 468-474 (Podgornyi Y.V., Vishnevskii A.S., Vorotilov K.A., Lavrov P.P., Lantsev A.N. Electrophysical properties of lead zirconate titanate films doped with lanthanum // Russian Microelectronics. – 2014. – V. 43. – № 6. – P. 438-444. – DOI 10.1134/S1063739714060080).
    − Командин Г.А., Породинков О.Е., Исхакова Л.Д., Спектор И.Е., Волков А.А., Воротилов К.А., Серегин Д.С., Сигов А.С. Электродинамические свойства тонких пленок цирконата-титаната свинца в терагерцевом диапазоне частот // Физика твердого тела. – 2014. – Т. 56. – № 11. – С. 2135-2141 (Komandin G.A., Porodinkov O.E., Iskhakova L.D., Spektor I.E., Volkov A.A., Vorotilov K.A., Seregin D.S., Sigov A.S. Electrodynamic properties of lead zirconate–titanate thin films in the terahertz frequency range // Physics of the Solid State. – 2014. – V. 56. – № 11. – P. 2206-2212. – DOI 10.1134/S106378341411016X).
    − Подгорный Ю.В., Воротилов К.А., Лавров П.П., Сигов А.С. Вольт-амперные характеристики пористых пленок ЦТС // Нано- и микросистемная техника. – 2014. – № 9. – С. 3-12.
    − Vorotilov K., Sigov A., Seregin D., Podgorny Y., Zhigalina O., Khmelenin D. Crystallization behaviour of PZT in multilayer heterostructures // Phase Transitions. – 2013. – V. 86. – № 11. – P. 1152-1165. – DOI 10.1080/01411594.2013.794276.
    − Sigov A., Podgorny Y., Vorotilov K., Vishnevskiy A. Leakage currents in ferroelectric thin films // Phase Transitions. – 2013. – V. 86. – № 11. – P. 1141-1151. – DOI 10.1080/01411594.2013.790033.
    − Серегин Д.С., Вишневский А.С., Воротилов К.А., Ланцев А.Н., Валеев А.С. Получение плёнок с низкой диэлектрической проницаемостью методом химического осаждения из газовой фазы // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. – 2013. – № 2(231). – С. 75-87.
    − Подгорный Ю.В., Вишневский А.С., Воротилов К.А., Сигов А.С. Моделирование вольт-амперных характеристик тонкоплёночных сегнетоэлектрических структур с отрицательной дифференциальной проводимостью // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. – 2013. – № 2(231). – С. 59-69.
    − Вишневский А.С., Воротилов К.А., Жигалина О.М., Ланцев А.Н., Подгорный Ю.В., Серегин Д.С. Исследование влияния структуры нижнего электрода на свойства пленок ЦТС, сформированных методом химического осаждения из растворов // Нано- и микросистемная техника. – 2013. – № 1. – С. 15-20.
    − Sigov A.S., Vorotilov K.A., Zhigalina O.M. Effect of lead content on microstructure of sol-gel PZT structures // Ferroelectrics. – 2012. – V. 433. – № 1. – P. 146-157. – DOI 10.1080/00150193.2012.696434.
    − Podgorny Y.V., Seregin D.S., Sigov A.S., Vorotilov K.A. Depolarization currents in thin ferroelectric films // Ferroelectrics. – 2012. – V. 439. – № 1. – P. 56-61. – DOI 10.1080/00150193.2012.743373.
    − Podgorny Y.V., Seregin D.S., Sigov A.S., Vorotilov K.A. Effect of sol-gel PZT film thickness on the hysteresis properties // Ferroelectrics. – 2012. – V. 439. – № 1. – P. 74-79. – DOI 10.1080/00150193.2012.741952.
    − Воротилов К.А., Сигов А.С. Сегнетоэлектрические запоминающие устройства // Физика твердого тела. – 2012. – Т. 54. – № 5. – С. 843-848 (Vorotilov K.A., Sigov A.S. Ferroelectric memory // Physics of the Solid State. – 2012. – V. 54. – № 5. – P. 894-899. – DOI 10.1134/s1063783412050460).
    − Жигалина О.М., Хмеленин Д.Н., Воротилов К.А., Котова Н.М., Мазитов А.А., Серёгин И.С., Дьяконова Н.Б. Структура и фазовый состав пленок BiFeO3:La, синтезированных методом химического осаждения из растворов // Физика твердого тела. – 2012. – Т. 54. – № 5. – С. 937-938 (Zhigalina O.M., Khmelenin D.N., Vorotilov K.A., Kotova N.M., Mazitov A.A., Seregin I.S., D’yakonova N.B. Structure and phase composition of BiFeO3:La films synthesized by chemical deposition from solutions // Physics of the Solid State. – 2012. – V. 54. – № 5. – P. 997-998. – DOI 10.1134/s1063783412050514).
    − Подгорный Ю.В., Воротилов К.А., Сигов А.С. Токи утечки в тонких сегнетоэлектрических пленках // Физика твердого тела. – 2012. – Т. 54. – № 5. – С. 859-862 (Podgornyi Y.V., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Leakage currents in thin ferroelectric films // Physics of the Solid State. – 2012. – V. 54. – № 5. – P. 911-914. – DOI 10.1134/s1063783412050332).
    − Хмеленин Д.Н., Жигалина О.М., Воротилов К.А., Лебо И.Г. Кристаллизация пленок цирконата-титаната свинца с помощью лазерного отжига // Физика твердого тела. – 2012. – Т. 54. – № 5. – С. 939-941 (Khmelenin D.N., Zhigalina O.M., Vorotilov K.A., Lebo I.G. Crystallization of lead zirconate titanate films by laser annealing // Physics of the Solid State. – 2012. – V. 54. – № 5. – P. 999-1001. – DOI 10.1134/s1063783412050174).

    Патенты:
    − Способ изготовления сегнетоэлектрического конденсатора: пат. 2530534 Рос. Федерация: МПК H 01 G 7/06 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Ланцев А.Н., Серегин Д.С., Сигов А.С. – № 2013144263/07; заявл. 02.10.13; опубл. 10.10.14, Бюл. № 28.
    − Способ приготовления пленкообразующих растворов для формирования сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция: пат. 2490370 Рос. Федерация: МПК C 23 C 18/00, C 01 F 11/00, C 01 G 23/00 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Котова Н.М., Сигов А.С. – № 2011136110/02; заявл. 31.08.11; опубл. 20.08.13, Бюл. № 23.
    − Способ получения безводного ацетата свинца (II) для приготовления безводных пленкообразующих растворов цирконата-титаната свинца: пат. 2470867 Рос. Федерация: МПК C01G21/00, C07C53/10, C07C51/41 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Котова Н.М., Сигов А.С. – № 2011127491/05; заявл. 5.07.11; опубл. 27.12.12, Бюл. № 36.
    − Способ приготовления безводных пленкообразующих растворов для формирования сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца с низкой температурой кристаллизации: пат. 2470866 Рос. Федерация: МПК C 01 G 21/00, C 01 G 23/00, C 01 G 25/00, B 05 D 5/12, C 04 B 35/491 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Котова Н.М., Сигов А.С. – № 2011125586/05; заявл. 22.06.11; опубл. 27.12.12, Бюл. № 36.
    − Способ приготовления безводных пленкообразующих растворов для формирования сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца: пат. 2465969 Рос. Федерация: МПК B 05 D 5/12, C 01 G 21/00, C 01 G 23/00, C 01 G 25/00, C 04 B 35/491 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Котова Н.М., Сигов А.С. – № 2011120213/05; заявл. 20.05.11; опубл. 10.11.12, Бюл. № 31.
    − Способ изготовления многоуровневой металлизации интегральных микросхем с пористым диэлектрическим слоем в зазорах между проводниками: пат. 2459313 Рос. Федерация: МПК H 01 L 21/768 / Валеев А.С., Шишко В.А., Ранчин С.О., Воротилов К.А., Васильев В.А. – № 2011110621/28; заявл. 21.03.11; опубл. 20.08.13, Бюл. № 23.
    − Способ изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС: пат. 2420827 Рос. Федерация: МПК H 01 L 21/283 / Красников Г.Я., Валеев А.С., Шелепин Н.А., Гущин О.П., Воротилов К.А., Васильев В.А., Аверкин С.Н. – № 2010100321/28; заявл. 11.01.10; опубл. 10.06.11, Бюл. № 23.

  • НОЦ «Технологический центр» совместно с кафедрой ФКС участвует в подготовке аспирантов, обучающихся по специальностям

    05.27.01 «Твердотельная электроника»
    05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», в обучении студентов по направлению подготовки 210100.68 «Электроника и наноэлектроника», магистерская программа 21 «Технологии перспективной элементной базы микро- и наноэлектроники», а также проводит практику и дипломное проектирование по соответствующим программам бакалавриата.

    Выпускники

    Бакалавры:
    Железняков Алексей Михайлович (210100 «Электроника и микроэлектроника»)
    Щеголев Олег Алексеевич (210100 «Электроника и микроэлектроника»)

    Специалисты:
    Зубкова Екатерина Николаевна (210601 «Нанотехнология в электронике»)
    Першин Владимир Александрович (210108 «Микросистемная техника»).
    Лавров Павел Павлович (210601 «Нанотехнология в электронике»)
    Горбунов Эдуард Алексеевич (210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника»)

  • ОАО «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон» (ОАО «НИИМЭ и Микрон»)
    Разработка и промышленное производство отечественных интегральных микросхем. Самое современное по уровню технологий и оснащенности микроэлектронное предприятие в России, крупнейший производитель полупроводниковой продукции в СНГ и Восточной Европе. На предприятии производится более 500 видов микросхем и полупроводниковых изделий.
    Адрес: 124460, Москва, Зеленоград, 1-ый Западный проезд, д. 12/1
    Тел.: (495) 229-72-99
    Сайт: официальный сайт ОАО «НИИМЭ и Микрон» (http://www.mikron.ru)
    E-mail: kanc@mikron.ru


    АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» (АО «НИИМЭ»)
    Ключевыми направлениями деятельности АО «НИИМЭ» являются проведение научных исследований в области нано и микроэлектроники, развитие собственных отечественных технологий и уникальных продуктов. Особое внимание компания уделяет расширению набора технологий уровня 180-90 нм на заводе «Микрон», созданию технологий 65-45 нм и менее. АО «НИИМЭ» осуществляет координацию разработок РАН, других институтов, университетов и лабораторий с целью их коммерциализации в массовом производстве микроэлектроники.
    Адрес: 124460, Москва, Зеленоград, 1-ый Западный проезд, д. 12/1
    Тел.: (495) 229-72-99
    Сайт: официальный сайт АО «НИИМЭ» (http://www.mikron.ru)
    E-mail: kanc@mikron.ru

    Закрытое акционерное общество «СКАН» (ЗАО «СКАН»)
    ЗАО «СКАН» является системным интегратором и базовым поставщиком по созданию, поставке и сопровождению аппаратно-программных комплексов для технического перевооружения предприятий электронной промышленности. Более 20 лет успешно разрабатывает и внедряет высокотехнологические комплексы и системы в различных отраслях экономики страны.
    Адрес: 119330, Москва, ул. Дружбы, д. 10«Б»
    Тел.: (495) 739-50-05
    Сайт: официальный сайт ЗАО «СКАН» (http://www.scanru.ru)
    E-mail: office@scanru.ru

    Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (ИОФ РАН)
    Проведение совместных исследований в области электродинамических свойств тонких пленок сегнетоэлектриков в терагерцевом диапазоне частот
    Адрес: 119991, Москва, ул. Вавилова, д. 38
    Тел.: (499) 135-41-48
    Сайт: официальный сайт ИОФ РАН (http://www.gpi.ru)
    E-mail: postmaster@kapella.gpi.ru

    Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе Российской академии наук (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
    Проведение совместных исследований в области электрофизических свойств тонких пленок сегнетоэлектриков
    Адрес: 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 26
    Тел.: (812) 297-2245
    Сайт: официальный сайт ФТИ им. А.Ф. Иоффе (http://www.ioffe.ru)
    E-mail: post@mail.ioffe.ru

    Южный научный центр Российской академии наук (ЮНЦ РАН)
    Проведение совместных исследований в области физики и технологии сегнетоэлектрических тонких пленок
    Адрес: 344006, Ростов-на-Дону, пр. Чехова, 41
    Тел.: (863) 266-64-26
    Сайт: официальный сайт ЮНЦ РАН (http://www.ssc-ras.ru)
    E-mail: ssc-ras@ssc-ras.ru

    Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ «ЛЭТИ»)
    Проведение совместных исследований в области физики и технологии сегнетоэлектрических тонких пленок
    Адрес: 197376, Россия, Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д. 5
    Тел.: (812) 346-44-87
    Сайт: официальный сайт СПбГЭТУ «ЛЭТИ» (http://www.eltech.ru)
    E-mail: root@post.etu.spb.ru

    Казанский (Приволжский) федеральный университет (КФУ) Проведение совместных исследований в области физики и технологии сегнетоэлектрических тонких пленок
    Адрес: 420008, Россия, РТ, г. Казань, ул. Кремлевская, д.18
    Тел.: (843) 233-71-09
    Сайт: официальный сайт КФУ (http://kpfu.ru)
    E-mail: public.mail@kpfu.ru

  • Сигов Александр Сергеевич
    должность: главный научный сотрудник, заведующий кафедрой, президент МИРЭА
    преподаваемые дисциплины:
    «Физика диэлектриков» и др.
    направления научно-исследовательской деятельности:
    физика конденсированных сред, твердотельная электроника, физическое материаловедение, физические свойства кристаллов, системы с пониженной размерностью и/или структурным беспорядком, тонкие сегнетоэлектрические пленки
    ученая степень: д.ф.-м.н.
    ученое звание: академик РАН, профессор
    специальность по диплому: физик
    данные о повышении квалификации и (или) профессиональной переподготовке: 2014 г.
    общий стаж работы: 47 лет
    стаж работы по специальности: 47 год


    Воротилов Константин Анатольевич
    должность: директор НОЦ «Технологический центр», профессор
    преподаваемые дисциплины:
    руководство программой специализированной подготовки в магистратуре 210100.68.21, «Перспективные технологии микро- и наноэлектроники» и др.
    направления научно-исследовательской деятельности:
    микро- и наноэлектроника, технологические процессы, методы химического осаждения, золь-гель метод, активные диэлектрики, запоминающие устройства, системы многоуровневой металлизации СБИС
    ученая степень: д.т.н.
    специальность по диплому: Полупроводниковые и микроэлектронные приборы (инженер электронной техники)
    данные о повышении квалификации и (или) профессиональной переподготовке: 2011 г.
    общий стаж работы: 31 год
    стаж работы по специальности: 31 год


    Серегин Дмитрий Сергеевич
    должность: начальник отдела технологических исследований
    направления научно-исследовательской деятельности:
    технологии микро- и наноэлектроники, золь-гель метод, тонкоплёночные материалы, активные диэлектрики, low-k диэлектрики
    ученая степень: к.т.н.
    специальность по диплому: Микроэлектроника и твердотельная электроника (инженер)
    общий стаж работы: 10 лет
    стаж работы по специальности: 10 лет


    Подгорный Юрий Владимирович
    должность: ведущий научный сотрудник отдела метрологии и разработки
    направления научно-исследовательской деятельности:
    измерительная техника, электрические характеристики тонких пленок, транспорт носителей заряда в тонкопленочных структурах
    ученая степень: к.т.н.
    ученое звание: доцент
    специальность по диплому: Электроакустика и ультразвуковая техника (инженер электрофизик)
    общий стаж работы: 57 лет
    стаж работы по специальности: 51 год


    Вишневский Алексей Сергеевич
    должность: старший научный сотрудник отдела метрологии и разработки
    направления научно-исследовательской деятельности:
    микро- и наноэлектроника, нанотехнологии, спектральные методы исследований
    ученая степень: к.т.н.
    специальность по диплому: Электронное машиностроение (инженер)
    общий стаж работы: 9 лет
    стаж работы по специальности: 5 лет


    Котова Нина Михайловна
    должность: ведущего инженера отдела технологических исследований
    направления научно-исследовательской деятельности:
    химия и химические технологии, золь-гель метод, алкоголяты металлов, синтез высокочистых пленкообразующих растворов для формирования пленок
    специальность по диплому: Технология основного органического и нефтехимического синтеза (инженер химик-технолог)
    общий стаж работы: 43 года
    стаж работы по специальности: 36 лет


    Лучников Александр Петрович
    Лучников Александр Петрович
    должность: ведущий инженер отдела метрологии и разработки, помощник президента МИРЭА
    направления научно-исследовательской деятельности:
    вакуумные технологии осаждения тонких пленок, полимерные и фторполимерные покрытия
    специальность по диплому: Конструирование и производство радиоаппаратуры (инженер)
    общий стаж работы: 47 лет
    стаж работы по специальности: 47 лет


    Лучников Петр Александрович
    должность: ведущий инженер отдела метрологии и разработки
    направления научно-исследовательской деятельности:
    тонкие пленки и наноструктуры на основе полимерных материалов
    специальность по диплому: Стандартизация и сертификация (инженер)
    общий стаж работы: 14 лет
    стаж работы по специальности: 14 лет


    Лавров Павел Павлович
    должность: стажер-исследователь отдела метрологии и разработки
    направления научно-исследовательской деятельности:
    токи утечки в тонкопленочных сегнетоэлектрических гетероструктурах
    специальность по диплому: Нанотехнология в электронике (инженер)
    общий стаж работы: 5 лет
    стаж работы по специальности: 5 года


    Ненашев Роман Николаевич
    должность: стажер-исследователь отдела технологических исследований
    направления научно-исследовательской деятельности:
    химия и химические технологии, золь-гель метод, синтез высокочистых пленкообразующих растворов для формирования пленок
    специальность по диплому: Химия (химик)
    общий стаж работы: 1 год
    стаж работы по специальности: 1 год


© 2018 МИРЭА - Российский технологический университет