Научно-исследовательский институт материалов твердотельной электроники

Буш Александр Андреевич
Директор, д.т.н/профессор
Адрес: г. Москва, 5-я улица Соколиной горы, д. 22., C829
Телефон городской: +7 (495) 365-40-36
E-mail: aabush@yandex.ru, bush@mirea.ru
Часы приёма
вт
11:00 — 17:00
ср
11:00 — 17:00
чт
11:00 — 17:00
пт
11:00 — 17:00

Приказ о положении

Основные направления деятельности НИИ МТЭ
1 Исследование физико-химических и физико- технологических принципов синтеза и разработка технологий получения новых и слабоизученных фаз с особыми физическими свойствами. Получение монокристаллических и керамических сложнооксидных образцов новых фаз с особыми физическими свойствами: сверхпроводящими, сэгнетоэлектрическими, магнитными и магнитоэлектрическими.
2 Изучение особенностей атомно-кристаллической структуры синтезированных фаз и ее дефектности методами рентгеновского структурного анализа, эффекта Мессбауэра и др.
3 Изучение диэлектрических, сегнето-, пьезо- и пироэлектрических, электретных, эмиссионных, транспортных и магнитных характеристик полученных образцов. Выявление взаимосвязи состав—кристаллическая структура — микроструктура — свойства исследованных твердотельных. образцов. Изучению влияния различных технологических факторов, поиску путей увеличения сверхпроводящих, сегнетоэлектрических, пьезоэлектрических, магнитоэлектрических и других характеристик образцов. Создание научных основ синтеза материалов с заданными свойствами и разработка на основе изученных фаз новых материалов, перспективных для применений в электронной технике. Определение возможностей практического применения в электронной технике новых и слабоизученных фаз с особыми физическими свойствами.

Материально-техническое обеспечение подразделения
- автоматизированные печи СНОЛ 12/16 с хромит- лантановыми нагревательными элементами, работающими до 1650оС для синтеза керамики и монокристаллов методом раствор-расплавной кристаллизации;
- оборудование для синтеза керамики по обычной керамической технологии: гидравлический пресс Shimadzu 2332 с набором различных пресс форм; лабораторная центробежная шаровая мельница «Pulverisette-6» фирмы Fritsch (ФРГ), весы моделей ВЛКТ-500 г, ВЛР-200 г, торсионные весы WTW (Польша), электронные весы CS-200 фирмы OHAUS;
- установка УРН-2-ЗП для бестигельной зонной кристаллизации с оптическим нагревом;
- установки EKZ 250/200 для выращивания монокристаллов методами Чохральского и синтеза керамики в инертной атмосфере;
- лабораторный печатный станок ПЦ-40-48 для сеткотрафаретной печати толстых пленок;
- установки напыления А700 QE\D1-1200, SID 1\S2, УРМ 3279013, УРМ 3279014;
- вакуумные посты ВУП-5, NT-450;
- спектрометры UV-365, IR-435;
- масспектрометры GUADROVAC Q-200, QMQ 511;
-турбомолекулярные насосы TURBOTRONIK, TURBOVAC L500;
- блок обеспыливания S11.01.
автоматизированный рентгеновский дифрактометр ДРОН-4;
- автоматизированный дериватограф Q 1500 D системы Паулик-Эрдеи;
- источник рентгеновского излучения «ИРИС» и рентгеновские камеры для исследования монокристаллов методами Лауэ, качания, Вейссенберга;
- оптические микроскопы: стереоскопические микроскопы МБС-9 и OPTON–DV-4 (ФРГ), поляризационный микроскоп «ПОЛАМ Л-213М», металлографический поляризационный микроскоп ММР-2Р, микроскопы МИМ-7, МИМ-9, BMG 160-1;
- ЭПР-спектрометр ER-200tt фирмы Bruker;
- автоматизированный стенд для измерения температурных зависимостей сопротивления, диэлектрической проницаемости и потерь на частотах 0,1 - 200 кГц при температурах 100 – 900 К;
- автоматизированный стенд для измерения частотных зависимостей диэлектрических и характеристик в области 25 Гц – 1 МГц;
- автоматизированные стенды для изучения температурных зависимостей пьезоэлектрического, пироэлектрического и электретного эффектов;
- измерительный стенды для изучения петель диэлектрического гистерезиса,
- вибрационный магнитометр фирмы Princeton Applied Research (модель 155);
- осциллографы Tektronix на диапазон частот до 500 МГц;
- персональные компьютеры на базе процессора Pentium, модульные системы сбора данных типа LTR фирмы «Л-кард» под управлением программного пакета LabView.

История НИИ МТЭ (до 2013 года НИИ информатики)
НИИ информатики был создан в октябре 1983 г. на базе научно-исследовательских подразделений МИРЭА согласно Постановлению Совета Министров РСФСР и приказу Министерства образования РСФСР. (vid1.jpg)

Инициатором создания НИИ информатики и его директором в течение длительного времени (1983-1998 гг.) был Евтихиев Николай Николаевич, профессор, доктор технических наук, академик РАН. (ev.jpg)
Целью создания НИИ информатики было решение фундаментальных про-блем информатики, разработка новых принципов, устройств и систем ин-форматики, радиоэлектроники и измерительной техники, а также более ак-тивное привлечение профессорско-преподавательского состава, студентов и аспирантов МИРЭА. к научно-исследовательской работе.
Численность штатных сотрудников и совместителей НИИ информатики через насколько лет после его создания составляла около 110 человек. В структуру института входили следующие подразделения:
- Отдел фундаментальных проблем информатики, который включал теорети-ческий сектор, сектор волновых процессов обработки информации, сектор конденсированных сред для информационной техники и сектор биологи-ческих проблем информатики;
- Отдел прикладной информатики, который включал сектор оптико-электронных систем преобразования информации, сектор преобразования информации на основе микроволновых процессов в конденсированных средах, сектор нейробионики и сектор систем обработки и передачи дан-ных;
- Конструкторско-технологический и патентный отделы.
Коллектив НИИ информатики, благодаря усилиям его директора акад. Н.Н. Евтихиева и активности сотрудников, сумел в короткий срок получить целый ряд приоритетных научных результатов в таких областях как:
- разработка технологий получения и исследование новых кристаллов и пленок высокотемпературных сверхпроводников, создание высокочувствительных устройств регистрации и обработки информации на основе сверхпроводящих элементов и матриц;
- разработка технологии изготовления новых магнитоакустических материалов (ферриты и антиферромагнетики), исследование их свойств и создание устройств обработки радиосигналов и датчиков на их основе;
- исследование линейных и нелинейных магнитных колебаний и спиновых волн в магнитных пленках и создание спин-волновых устройств обработки радиосигналов на их основе;
- разработка новых материалов и методов оптической регистрации, записи, обработки и передачи информации;
- разработка принципов построения нейрокомпьютеров.
В 1998 г директором НИИ информатики был избран Фетисов Юрий Кон-стантинович, профессор, д.ф.-м.н., который руководил работой института до 2008 г. (fet.jpg)
В НИИ информатики была проведена реорганизация структуры и сфор-мированы два крупных подразделения, существующие и в настоящее время:
- Технологический отдел, основной задачей которого является разработка но-вых технологий, изготовление перспективных материалов для информатики и электронной техники. Отдел возглавил к.т.н. Афанасьев С.А.;
- Научно-исследовательский отдел, целью которого является изучение физи-ческих явлений и эффектов в новых материалах, которые могут найти при-менение для создания устройств записи, хранения и передачи информации, устройств обработки радиосигналов, датчиков и преобразователей различных физических величин. Отдел возглавил к.ф.-м. н. Буш А.А.
Благодаря наличию финансирования по программам Минобразования РФ, грантам РФФИ, заказам на выполнение поисковых работ со стороны мини-стерств и ведомств и поддержке руководства университета удалось провести частичный ремонт помещений и существенно обновить технологическое и измерительное оборудование НИИ информатики. Это позволило в достаточно трудное для отечественной науки в целом время успешно проводить научные исследования и даже открывать новые научные направления. В частности, НИИ информатики занял лидирующие позиции в области создания новых материалов с уникальными магнитными и электрическими свойствами, в исследовании магнитоэлектрических явлений в новых композитных материалах и создании датчиков магнитных полей и управляемых устройств обработки сигналов на их основе. В 2006 г. по материалам выполненных исследований Буш А.А. защитил диссертацию доктора технических наук, Мещеряков В.Ф. защитил диссертацию доктора физико-математических наук, проф. Фетисов Ю.К. был избран академиком РАЕН, а затем деканом факультета электроники МИРЭА.
С 2006 г. по сентябрь 2008 г. работой НИИ информатики руководил Ме-щеряков В.Ф., д.ф.-м.н., профессор. (mes.jpg) В течение сравнительно корот-кого времени он успел внести вклад в улучшение деятельности института. НИИ информатики был включен в состав технопарка «Соколиная гора», за-местителем руководителя технопарка был назначен начальник отдела инсти-тута Афанасьев С.А., у сотрудников института появились дополнительные возможности использования современного технологического и измерительного оборудования технопарка для проведения научных исследований.
В 2008 г. директором НИИ информатики был избран Буш Александр Ан-дреевич, д.т.н., профессор. (bush2.jpg)
За прошедшие годы в НИИ информатики были успешно выполнены десятки научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по грантам и заказам Министерства образования РФ, Российской Академии наук, Министерства промышленности, науки и технологий РФ, других министерств, ведомств и организаций.

Педагогический состав

Буш Александр Андреевич
Директор, д.т.н профессор
E-mail: aabush@yandex.ru

Каменцев Константин Евгеньевич
Начальник исследовательского отдела, к.т.н
Телефон городской: +7 (495) 365-40-36
E-mail: valkame@yandex.ru

Афанасьев Сергей Анатольевич
Начальник технологического отдела, к.т.н
Телефон городской: +7 (495) 365-30-58 ,
E-mail: valkame@yandex.ru
Научная работа подразделения • Основные направления, объекты и цели исследований. Получение, изучение структуры и свойств новых фаз с особыми физическими свойствами (сверхпроводящими, сегнетоэлектрическими, магнитными, магнитоэлектрическими и другими), разработка на их основе новых перспективных функциональных материалов для электронной техники. Подробнее см п.6.3 • Результаты работ с указанием значимых наград и достижений. • Список основных публикаций За последние 5 лет оформлено: 108 научных публикаций, из них 58 в индексируемых Web of Science изданиях, 4 патента, 3 учебных пособия, 2 учебно-методических пособий по выполнению лабораторных работ. НИИ МТЭ проводит исследования в тесном сотрудничестве с научными группами из Московского госуниверситета, Института физических проблем им. П.О. Капицы РАН, Национального исследовательского центра «Курчатовский институт, Южного федерального университета, Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН, ОАО «НИИ ЭЛПА» и других.: Полученные в НИИ МТЭ результаты используются при чтении курса лекций дисциплин «Физическая химия материалов и процессов электронной техники», «Материалы активных диэлектриков», при создании и выполнении лабораторных работ, а также при подготовке учебных и учебно-методических пособий по указанным курсам. За последние 10 лет на базе НИИ МТЭ подготовлены и защищены его сотрудниками 6 кандидатских диссертаций.