Состоялось очередное заседание семинара «Физика конденсированного состояния»

2 апреля в РТУ МИРЭА состоялось очередное заседание постоянно действующего научного семинара «Физика конденсированного состояния» на базе кафедры наноэлектроники под руководством академика РАН д.ф.-м.н. Александра Сергеевича Сигова.
На семинаре были представлены следующие доклады:

1. Антонович А.Н. (ФТИ РАН)

«Исследование контактных явлений в сегнетоэлектрических конденсаторных структурах M/Pb(Zr,Ti)O3/M методом наведённого тока»
(по теме кандидатской диссертации по техническим наукам, 05.27.01 – твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах).

Работа посвящена определению электрофизических свойств границ раздела плёнка/электрод методом наведённого тока. На основе профилей наведённого тока и исследования вольт-амперных характеристик стационарного тока утечки показано, что структура Au/PZT/Pt, проявляет себя в качестве диода включённого в проводящем и запирающем направлении при отрицательной и положительной полярности соответственно.

При этом методом наведённого тока продемонстрировано, что граница раздела Au/PZT представляет собой омический контакт (наличие областей обеднения вблизи интерфейса не подтверждается). При отрицательной полярности в области низких полей методом ВАХ в структуре идентифицирован механизм омической проводимости.

2. Климов А.О. (НПП «Пульсар»)

«Влияние конструктивно-технологических факторов на создание внутрисогласованных мощных GaN СВЧ транзисторов»
(по теме кандидатской диссертации по техническим наукам, 05.27.01 – твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах).

Целью работы является разработка конструктивнотехнологических решений монтажа GaN/SiC кристалла в корпус для обеспечения максимального теплоотвода от кристалла, повышения надёжности и увеличения выходной мощности усилителей. Разработан способ определения дефектов под контактной площадкой подложки методом оценки профилей изменения тока ультразвукового преобразователя в установке микросварки и деформации проволоки в течение процесса сварки. Разработан способ получения качественного паяного соединения без пустот и других включений на основе обоснованных последовательных динамических операций (предварительное облуживание обратной Au металлизации кристалла, его последующее перемещение на полированную неметаллизированную поверхность, выдержка при охлаждении, прижим и притирку), выполняемых с кристаллом GaN при его креплении к корпусу.

В обсуждении докладов приняли активное участие академик РАН д.ф-м.н. Сигов А.С., д.ф-м.н. Юрасов А.Н., к.ф-м.н. Фетисов Л.Ю., Лемперт П.И. (НПП «Пульсар»), д.т.н. Воротилов К.А., к.ф-м.н. Гладышев И.В., к.х.н. Буря Г.Ф. и другие участники научного семинара.