Состоялось очередное заседание семинара «Физика конденсированного состояния»

20 февраля очередное заседание постоянно действующего научного семинара «Физика конденсированного состояния» на базе кафедры наноэлектроники под руководством академика РАН д.ф.-м.н. Александра Сергеевича Сигова.

На семинаре были представлены доклады:

1. Д.А. Андроникова (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург)
«Фазовые переходы в чистом и допированном цирконате свинца»
(по теме кандидатской диссертации, 01.04.07 – Физика конденсированного состояния).

Полученные результаты вносят вклад в понимание микроскопических механизмов, участвующих в формировании антисегнетоэлектрического состояния в функциональных материалах на основе перовскитоподобных антисегнетоэлектриков. Выявленные особенности процессов микроскопической перестройки структуры в цирконате свинца и в твердых растворах цирконата-титаната свинца, в частности ведущая роль сегнетоактивнойпоперечной оптической фононной ветви в развитии фазового перехода в антисегнетоэлектрическую фазу и наличие несоразмерного фазового перехода в цирконате-титанате свинца с низким содержанием титана, могут быть использованы при создании материалов с заданными физическими свойствами. Разработанные методы анализа предпереходных процессов могут быть использованы при изучении поведения других антисегнетоэлектрических и родственных им материалов.

2. М.А. Гоник (ООО Центр материаловедения «Фотон», г. Александров)
«Выращивание монокристаллов в строго контролируемых тепловых условиях»
(по теме докторской диссертации, 05.27.06 – технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники).

Проведённые исследования позволяют заключить, что существенный прогресс в получении крупногабаритных монокристаллов высокого качества в настоящее время связан с более полным пониманием закономерностей роста и созданием благоприятных условий кристаллизации на фазовой границе. Сказанное выше невозможно без разработки математических и физических моделей роста, создания более совершенных технологических процессов выращивания кристаллов и установления связи характеристик материалов с физико-химическими условиями их получения. Полученные автором результаты вносят существенный вклад во все три названных направления и позволяют сформировать научные, технические и технологические основы методов выращивания из расплава широкого класса полупроводников и диэлектриков с использованием принципиально новой технологии выращивания кристаллов из тонкого слоя расплава.

В обсуждении докладов приняли активное участие постоянные докладчики и гости семинара. В том числе, академик РАН Сигов А.С., проф. Мишина Е.Д., проф. Морозов В.Г., доц. Шерстюк Н.Э., доц. Фетисов Л.Ю., доц. Гладышев И.В., проф. Юрасов А.Н., проф. Щука А.А., проф. Капустин В.И., асс. Шестакова А.П., ст.пр. Кудрявцев А.В., ас. Лавров С.Д., доц. Индришенок В.И. и многие другие.