Учёные ФТИ стали лауреатами конкурса на получение стипендий Президента РФ

Сотрудники кафедры наноэлектроники ФТИ РТУ МИРЭА С.Д. Лавров и К.А. Брехов стали лауреатами гранта для молодых учёных и конкурса на получение стипендий Президента Российской Федерации в 2019-2021 годах для молодых учёных и аспирантов.

Кирилл Алексеевич Брехов:

•    Победитель конкурса на получение стипендии Президента Российской Федерации в 2019-2021 годах для молодых учёных и аспирантов, осуществляющих перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики. Тема научного исследования: «Релаксация электронной подсистемы двумерных слоёв твердых растворов дихалькогенидов переходных металлов различной концентрации при фемтосекундном возбуждении».
•    Обладатель гранта «Для молодых учёных РТУ МИРЭА». Тема научного исследования: «Сверхбыстрое оптическое возбуждение магнитной и электронной подсистем мультиферроика BiFeO3».

Сергей Дмитриевич Лавров:

•    Победитель конкурса на получение стипендии Президента Российской Федерации в 2019-2021 годах для молодых учёных и аспирантов, осуществляющих перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики. Тема научного исследования: «Влияние эффектов плазмонного оптического усиления на характеристики устройств опто- и наноэлектроники на основе двумерных графеноподобных полупроводниковых структур».
•    Победитель конкурса Российского научного фонда 2019 года «Проведение исследований научными группами под руководством молодых учёных» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учёными, в том числе молодыми учёными. Тема научного исследования: «Влияние эффектов плазмонного оптического усиления на характеристики устройств опто- и наноэлектроники на основе двумерных графеноподобных полупроводниковых структур».
•    Обладатель гранта «Для молодых учёных РТУ МИРЭА». Тема научного исследования: «Высокоэффективные оптические и терагерцевые детекторы на основе графеноподобных полупроводников».
Поздравляем наших учёных с высокими достижениями!