Top.Mail.Ru

Микро, нано - , СВЧ-электроника

Направление: Разработка новых наноматериалов и наноустройств, а также оптических методов их диагностики
Подразделение: СУНЛ «Фемтосекундная оптика для нанотехнологий» кафедры наноэлектроники
Руководитель: Мишина Е.Д., д.ф.-м.н., профессор, зав. лабораторией

Направление: Интегрированные сегнетоэлектрические устройства
Подразделение: Кафедра наноэлектроники, НОЦ «Технологический центр»
Руководитель: А.С. Сигов, академик РАН (e-mail: sigov@mirea.ru)

Направление: Магнитооптическая спектроскопия
Подразделение: Кафедра наноэлектроники Института перспективных технологий и индустриального программирования.
Руководитель: профессор, д. ф.-м. н. Юрасов Алексей Николаевич.

Направление: Алмазные приборы, технологии и материалы
Подразделение: Лаборатория «Алмазная СВЧ-электроника».
Руководитель: к.т.н. Алтухов Андрей Александрович, д.т.н. доцент Фещенко Валерий Сергеевич

Исследование и разработка полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком

Оптические методы диагностики материалов с использованием фемтосекундных лазеров позволяют получать характеристики материалов, недоступные другим методам. К ним относятся: исследование спектральных зависимостей показателя преломления и коэффициента поглощения, а также квдратичной нелинейной восприимчивости с временным разрешением до 100 фс. Кроме того, такие импульсы длительностью 100 фс позволяют исследовать оптические процессы в неразрушающем сильном световом поле до 106 В/см (постоянное электрическое поле такой величины приводит к электрическому пробою). Фемтосекундный лазер, встроенный в схему конфокальной микроскопии, позволяет пространственно-временные изображения различных процессов, проходящих в материалах и структурах наноэлектроники и оптоэлектроники. Фемтосекундные импульсы генерируют в полупроводниковых и магнитных наноструктурах короткие импульсы электрического тока, которые, согласно законам электродинамики, генерируют электромагнитное излучение, попадающее в терагерцовый (ТГц) диапазон. На этой основе развиваются методики генерации ТГц излучения.

В настоящее время поисковые и фундаментальные исследования направлены на решение следующих основных задач:
  1. Разработка фотодетекторов и фототранзисторов на основе двумерных полупроводников дихалькогенидов переходных металлов (ДПМ) и гетероструктур ДПМ с использованием методики полностью оптической диагностики.
  2. Оптимизация эффективности и управления поляризацией при генерации терагерцового излучения полупроводниковыми гетероструктурами на основе GaAs, слоистыми (в том числе двумерными) полупроводниковыми и спинтронными материалами.
  3. Исследование процессов переключения поляризации сегнетоэлектрических и мультиферроидных пленок и наноструктур методом микроскопии генерации второй оптической гармоники

Исследования выполняются по программам Минобрнауки РФ, грантам Российского научного фонда, Российского фонда фундаментальных исследований, а также  международным проектам в тесном сотрудничестве с научными группами из Университета г. Лилль (Франция), Университета г. Наймеген (Нидерланды), Института общей физики РАН.


Основные работы, опубликованные по результатам исследований за последние три года:
  1. Lavrov S.D. et al. Nonlinear-optical characterization of planar domain patterns written in LiNbO3 by electron-beam irradiation // Opt. Mater. (Amst). Elsevier B.V., 2018. Vol. 75. P. 325–330.
  2. Елшин А.С. et al. Свойства Пленок Титаната Бария-Стронция На Кремневой Подложке Для Использования В Солнечной Энергетике, “Наука Юга России” // Sci. South Russ. Akademizdatcenter Nauka, 2018. № 3. P. 29–36.
  3. Елшин А.С. et al. Нелинейно-Оптическая Диагностика Поликристаллических Тонких Пленок Цирконата-Титаната Свинца // Письма В Журнал Технической Физики. 2020. Vol. 46, № 8. P. 32.
  4. Avdizhiyan A.Y. et al. Tunable spectral properties of photodetectors based on quaternary transition metal dichalcogenide alloys MoxW(1-x)Se2yS2(1-y) // IEEE Sens. J. 2020. P. 1–1.
  5. Lavrov S.D. et al. The heterogeneity analysis of two-dimensional Mo(1−x)W(x)S(1−y)Sey alloys by optical methods // Thin Solid Films. 2018. Vol. 651. P. 7–12.
  6. Avdizhiyan A.Y. et al. Photoresponse of Optical Sensors Based on Transition Metal Dichalcogenides: Influence of Thickness on Spectral Characteristics // Tech. Phys. Lett. 2019. Vol. 45, № 6. P. 625–627.
  7. Shestakova A. et al. Photoexcitation Carrier Kinetics in WSe2 Nanolayers in the Vicinity of the Band Edge // Phys. Status Solidi Basic Res. 2018. Vol. 255, № 1. P. 1700259.
  8. Lavrov S.D. et al. Optical Characterization of the Structural Imperfection of Two-Dimensional MoS2 Crystallites // Tech. Phys. Lett. 2018. Vol. 44, № 11. P. 1008–1009.
  9. Lavrov S.D. et al. High-Sensitivity Photodetector Based on Atomically Thin MoS2 // Semiconductors. 2018. Vol. 52, № 6. P. 771–775.
  10. Горбатова А.В. et al. Фотопроводящий THz-детектор на основе сверхрешеточной гетероструктуры с плазмонным усилением // Письма В Журнал Технической Физики. 2020. Vol. 46, № 22. P. 10.
  11. Lavrukhin D. V. et al. Numerical simulations and experimental study of terahertz photoconductive antennas based on GaAs and its ternary compounds // Optical Sensing and Detection V / ed. Berghmans F., Mignani A.G. SPIE, 2018. P. 59.
  12. Lysogorskii Y. V. et al. Structural, electronic, and optical properties of heterointerface based on antiferromagnet LaMnO3 and ferroelectrics isostructural to BaTiO3 // Ferroelectrics. 2019. Vol. 541, № 1. P. 74–78.
  13. Elshin A.S., Mishina E.D. Femtosecond Laser Writing of Waveguide Microstructures in Pb(Zr,Ti)O3 Films and Their Characterization by the Nonlinear Optical Method // Tech. Phys. Lett. 2018. Vol. 44, № 6. P. 538–540.
  14. Brekhov K.A., Lavrov S.D. Electro-optic properties of Ba0.8Sr0.2TiO3 thin film // Ceram. Int. 2020.
  15. Brekhov K.A. Electric Field Intensity in a Planar Capacitor Based on Thin BaSrTiO3 Ferroelectric Film // Nano- i Mikrosist. Teh. 2018. Vol. 20, № 9. P. 555–561.
  16. Lavrov S. et al. Nonlinear Optical Spectroscopy of Two-Dimensional WSe2 Nanoflakes // MRS Adv. 2019. Vol. 4, № 10. P. 635–641.
  17. Buryakov A.M. et al. The Role of Excitation Photons Energy in the Photoinduced Carrier Dynamics in InGaAs/InAlAs Superlattice Heterostructures // Tech. Phys. Lett. 2018. Vol. 44, № 12. P. 1115–1119.
  18. Gorbatova A. V., Khusyainov D.I., Buryakov A.M. Terahertz Emission from a Monolayer Tungsten Diselenide Surface // Tech. Phys. Lett. 2019. Vol. 45, № 12. P. 1262–1265.
  19. Nomoev S.A. et al. The Influence of the Annealing Regime on the Properties of Terahertz Antennas Based on Low-Temperature-Grown Gallium Arsenide // Tech. Phys. Lett. 2018. Vol. 44, № 1. P. 44–46.
  20. Buryakov A. et al. Effect of Epitaxial Stresses on the Time Dynamics of Photoexcited Charge Carriers in InGaAs-Based Superlattices // MRS Adv. 2019. Vol. 4, № 1. P. 15–20.
  21. Buryakov A.M. et al. An advanced approach to control the electro-optical properties of LT-GaAs-based terahertz photoconductive antenna // Mater. Res. Bull. 2020. Vol. 122. P. 110688.
  22. Ponomarev D.S. et al. Enhanced terahertz emission from strain-induced InGaAs/InAlAs superlattices // J. Appl. Phys. 2019. Vol. 125, № 15. P. 151605.
Интегрированные сегнетоэлектрические устройства
Решение задач современной твердотельной электроники в так называемую эпоху пост-Мура, когда существующие полупроводниковые технологии столкнулись с физическими ограничениями на пути дальнейшего масштабирования, требует внедрения принципиально новых материалов и физических принципов создания нового поколения устройств. Научным коллективом под руководством академика РАН А.С. Сигова создано новое направление – активные диэлектрики для элементной базы информационных систем, в рамках которого разработаны и проектируются энергонезависимые запоминающие устройства с возможностью эксплуатации в экстремальных условиях, неохлаждаемые матричные ИК-приемники, микроэлектромеханические системы (МЭМС) и датчики.
В настоящее время основными направлениями исследований являются: экспериментальное и теоретическое рассмотрение физических явлений в сегнетоэлектрических гетеро- и наноструктурах, создание новых методов формирования пористых и композитных структур с использованием процессов молекулярной самосборки, исследование их структурных особенностей и физических свойств.

Основные работы, опубликованные по результатам исследований:
  1. Абдуллаев Д.А., Милованов Р.А., Волков Р.Л., Боргардт Н.И., Ланцев А.Н., Воротилов К.А., Сигов А.С. Сегнетоэлектрическая память: современное производство и исследования // Российский технологический журнал. – 2020. – V. 8. – №5. – P. 44-67. – DOI 10.32362/2500-316X-2020-8-5-44-67.
  2. Podgorny Y.V., Vorotilov K.A., Sigov A.S., Scott J.F. Dead layer thickness estimation at the ferroelectric film-metal interface in PZT // Applied Physics Letters. – 2019. – V. 114. – № 13. – P. 132902(1-5). – DOI 10.1063/1.5084019.
  3. Жигалина О.М., Хмелениин Д.Н., Валиева Ю.А., Колосов В.Ю., Бокуняева А.О., Кузнецов Г.Б., Воротилов K.A., Сигов А.С. Структурные особенности пленок ЦТСЛ // Кристаллография. – 2018. – Т. 63. – № 4. – С. 620-629. – DOI 10.1134/S0023476118040318 (Zhigalina O.M., Atanova A.V., Khmelenin D.N., Kotova N.M., Seregin D.S., Vorotilov K.A. Structural Features and Mutual Influence of the Layers in PZT–LNO–SiOx–Si and PZT–LNO–Si Compositions // Crystallography Reports. – 2019. – V. 64. – № 6. – P. 961-967. – DOI 10.1134/S1063774519060282).
  4. Атанова А.В., Жигалина О.М., Хмеленин Д.Н., Серегин Д.С., Воротилов К.А. Кристаллизация слоев в гетероструктурах PZT/LNO/Si // Физика твердого тела. – 2019. – Т. 61. – № 12. – С. 547-552. – DOI 10.21883/FTT.2019.12.48575.03ks (Atanova A.V., Zhigalina O.M., Khmelenin D.N., Seregin D.S., Vorotilov K.A. Layer Crystallization in PZT/LNO/Si Heterostructures // Physics of the Solid State. – 2019. – V. 61. – № 12. – P. 2464-2467. – DOI 10.1134/S1063783419120035).
  5. Podgorny Y., Antonovich A.N., Vorotilov K., Sigov A. Discharge currents in dense and porous PZT films // Ferroelectrics. – 2019. – V. 544. – № 1. – P. 82-87. – DOI 10.1080/00150193.2019.1598192.
  6. Abdullaev D.A., Seregin D.S., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Ion beam etching of dense and porous PZT films // Ferroelectrics. – 2019. – V. 544. – № 1. – P. 75-81. – DOI 10.1080/00150193.2019.1598188.
  7. Guschina E.V., Zaitseva N.V., Delimova L.A., Seregin D.S., Vorotilov K.A. Conductive AFM study of the local current in thin ferroelectric sol-gel PZT films // Journal of Physics: Conference Series. – 2019. – V. 1400. – № 1. – P. 077002(1-6). – DOI 10.1088/1742-6596/1400/7/077002.
  8. Abdullaev D.A., Seregin D.S., Zubov D.N., Vorotilov K.A. Effects of vacuum-plasma etching on the electrical properties of thin ferroelectric PZT films // Proceedings of SPIE (The International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018, Zvenigorod, Russian Federation, October 01-05, 2018). – 2019. – V. 11022. – P. 110221B(1-8). – DOI 10.1117/12.2520548.
  9. Атанова А.В., Хмелениин Д.Н., Жигалина О.М., Серегин Д.С., Воротилов K.A., Сигов А.С. Структура композиций PZT-LNO-Si, полученных методом химического осаждения из растворов // Наноматериалы и наноструктуры. – 2019. – Т. 10. – № 1. – С. 29-34. – DOI 10.18127/j22250999-201901-04.
  10. Антонович А.Н., Пахомов С.В., Петрушин А.А., Подгорный Ю.В. Влияние границ раздела пленка–электрод на токи утечки в сегнетоэлектрических конденсаторных наноструктурах Au/PZT/Pt // Наноматериалы и наноструктуры. – 2019. – Т. 10. – № 2. – С. 13-19. – DOI 10.18127/j22250999-201902-02.
  11. Абдуллаев Д.А., Зубов Д.Н., Гущина Е.В., Серегин Д.С., Воротилов K.A. Особенности микроскопии пленок цирконата-титаната свинца с микро- и наноразмерными включениями несегнетоэлектрической фазы пирохлора // Наноматериалы и наноструктуры. – 2019. – Т. 10. – № 1. – С. 43-48. – DOI 10.18127/j22250999-201901-06.
  12. Жигалина О.М., Хмелениин Д.Н., Валиева Ю.А., Колосов В.Ю., Бокуняева А.О., Кузнецов Г.Б., Воротилов K.A., Сигов А.С. Структурные особенности пленок ЦТСЛ // Кристаллография. – 2018. – Т. 63. – № 4. – С. 620-629. – DOI 10.1134/S0023476118040318 (Zhigalina O.M., Khmelenin D.N., Valieva Y.A., Kolosov V.Y., Bokuniaeva A.O., Kuznetsov G.B., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Structural Features of PLZT Films // Crystallography Reports. – 2018. – V. 63. – № 4. – P. 646-655. – DOI 10.1134/S1063774518040314).
  13. Командин Г.А., Породинков О.Е., Спектор И.Е., Волков А.А., Воротилов К.А., Серегин Д.С., Сигов А.С. Механизмы поглощения терагерцового и инфракрасного излучения в пленках PZT // Физика твердого тела. – 2018. – Т. 60. – № 6. – С. 1214-1222. – DOI 10.21883/FTT.2018.06.46003.342 (Komandin G.A., Porodinkov O.E., Spektor I.E., Volkov A.A., Vorotilov K.A., Seregin D.S., Sigov A.S. The Mechanisms of Absorption of Terahertz and Infrared Radiation in PZT Films // Physics of the Solid State. – 2018. – V. 60. – № 6. – P. 1226-1234. – DOI 10.1134/S106378341806015X).
  14. Подгорный Ю.В., Воротилов К.А., Сигов А.С. Определение стационарного тока утечки в структурах с пленками сегнетоэлектрической керамики // Физика твердого тела. – 2018. – Т. 60. – № 3. – С. 431-434. – DOI 10.21883/FTT.2018.03.45539.02D (Podgornyi Y.V., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Determination of the Steady State Leakage Current in Structures with Ferroelectric Ceramic Films // Physics of the Solid State. – 2018. – V. 60. – № 3. – P. 433-436. – DOI 10.1134/S1063783418030253).
  15. − Делимова Л.А., Гущина Е.В., Зайцева Н.В., Серегин Д.С., Воротилов К.А., Сигов А.С. Влияние кристаллической структуры на электрические свойства тонкопленочных PZT структур // Физика твердого тела. – 2018. – Т. 60. – № 3. – С. 547-552 (Delimova L.A., Guschina E.V., Zaitseva N.V., Seregin D.S., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Effect of the Crystal Structure on the Electrical Properties of Thin-Film PZT Structures // Physics of the Solid State. – 2018. – V. 60. – № 3. – P. 553-558. – DOI 10.1134/S1063783418030058).
  16. Серегин Д.С., Базирувиха А.-М., Котова Н.М., Воротилов К.А., Делимова Л.А., Зайцева Н.В., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Лукичев В.Ф. Формирование структур PZT на кремнии // Известия РАН. Серия физическая. – 2018. – Т. 82. – № 3. – С. 390-394. – DOI 10.7868/S0367676518030298 (Seregin D.S., Baziruvikha A.-M., Kotova N.M., Vorotilov K.A., Delimova L.A., Zaitseva N.V., Miakon'kikh A.V., Rudenko K.V., Lukichev V.F. Formation of PZT Structures on Silicon // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. – 2018. – V. 82. – № 3. – P. 341-345. – DOI 10.3103/S1062873818030231).
  17. Антонович А.Н., Петрушин А.А., Лапин Д.Г., Подгорный Ю.В. Исследование контактных явлений на границе раздела PZT-Pt методом наведенного тока // Известия РАН. Серия физическая. – 2018. – Т. 82. – № 3. – С. 387-389. – DOI 10.7868/S0367676518030286 (Antonovich A.N., Petrushin A.A., Lapin D.G., Podgornyi Y.V. Investigating Contact Phenomena at a PZT–Pt Interface by Means of Induced Current // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. – 2018. – V. 82. – № 3. – P. 338-340. – DOI 10.3103/S1062873818030048).
  18. Антонович А.Н., Петрушин А.А., Подгорный Ю.В. Исследование контактных явлений в сегнетоэлектрических конденсаторных наноструктурах Ir/PZT/Pt // Наноматериалы и наноструктуры. – 2018. – Т. 9. – № 4. – С. 28-35. – DOI 10.18127/j22250999-201804-05.
Магнитооптическая спектроскопия
В рамках данного направления проводятся теоретические исследования оптических и магнитооптических свойств различных наноструктур, комплексный анализ сложного поведения оптических и магнитооптических спектров нанокомпозитов, слоистых структур, гранулированных сплавов и манганитов с учетом температурных зависимостей.

Все полученные результаты сравниваются с экспериментальными данными. Таким образом, данное направление является актуальным и связано с перспективной областью исследования, а предполагаемые результаты могут найти применение в совершенствовании традиционных приборов твердотельной электроники, радиоэлектронных компонентов, изделий микро- и наноэлектроники, приборов на квантовых эффектах, а также для поиска новых функциональных материалов с заданными свойствами.

Основные работы, опубликованные по результатам исследований:
  1. Юрасов А.Н., Сайфулина Д.А., Бахвалова Т.Н. Магниторефрактивный эффект в металлических наноструктурах Co/Pt. // Russian Technological Journal. – 2024. – Т. 12, № 2. С. 57–66. DOI: https://doi.org/10.32362/2500-316X-2024-12-2-57-66
  2. Мирзокулов Х.Б., Салахитдинов А.Н., Юрасов А.Н. К теории преобразования сигналов в радиооптике метаматериалов. // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2022. Т. 86, № 5. С. 692-696. DOI: 10.31857/S0367676522050179
  3. Yurasov, A.N.,Yashin, M.M.,Saifulina, D.A., Bakhvalova, T.N. Features of Magnetooptical Spectra of the Transverse Kerr Effect in CoPt Nanostructures// Physics of Wave Phenomena. 2024. 32(2). p. 160–163. DOI: 10.3103/S1541308X24700109
  4. Ганьшина Е.А., Гаршин В.В., Перова Н.Н, Припеченков И.М., Юрасов А.Н., Яшин М.М., Рыльков В.В., Грановский А.Б. Магнитооптическая Керр-спектроскопия нанокомпозитов. ЖЭТФ. 2023; 164 (4): 662–672. DOI: 10.31857/S0044451023100188.
  5. Юрасов А.Н., Яшин М.М., Гладышев И.В., Ганьшина Е.А., Каназакова Е.С., Сайфулина Д.А., Симдянова М.А. Влияние распределения гранул по размерам на магнитооптические свойства нанокомпозитов//Вестник Московского государственного технического университета им. Н.Э. Баумана. Серия Естественные науки. 2023. № 5 (110). С. 63-72. DOI: https://doi.org/10.18698/1812-3368-2023-5-63-72.
  6. M.A. Simdyanova, A.N. Yurasov, M.M. Yashin, E.A. Gan'shina, I.V. Gladyshev, V.V. Garshin, I.M. Pripechenkov, A.B. Granovsky, A. Yu. Vlasov. Effect of granule sizes on magneto-optical spectra of nanocomposites //Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2024. V. 595. 171550. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2023.171550.
  7. А. Н. Юрасов, М. М. Яшин, Е. А. Ганьшина, И. В. Гладышев, В. В. Гаршин, Е. С. Каназакова Влияние распределения частиц по размерам на оптические и магнитооптические свойства нанокомпозитов (CoFeZr)x(Al2O3)1–х // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2022. Т. 86. № 5. С. 716-720. DOI: 10.3103/S106287382205029X.
  8. M.M. Yashin, A.N. Yurasov, M.A. Simdyanova, I.V. Gladyshev and T.N. Bakhvalova. Features of the Magneto-Optical Spectra of NiFe–Ta Bilayers // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. – 2024. – Vol. 88, № 11. – P. 1855–1860.
  9. Юрасов А.Н., Сайфулина Д.А., Бахвалова Т.Н. МАГНИТОРЕФРАКТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МЕТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУРАХ CO/PT //Russian Technological Journal. 2024. Т. 12. № 2. С. 57-66.
  10. Мухутдинова М.А., Юрасов А.Н. МОДЕЛИРОВАНИЕ МАГНИТОРЕФРАКТИВНОГО ЭФФЕКТА В НАНОКОМПОЗИТАХ CO-AL2O3 В РАМКАХ ПРИБЛИЖЕНИЯ БРУГГЕМАНА//Russian Technological Journal. 2024. Т. 12. № 3. С. 55-64.
  11. Юрасов А.Н.МАГНИТОРЕФРАКТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В НАНОСТРУКТУРАХ// Приборы. 2022. № 4 (262). С. 22-25.
  12. Сигов А.С., Гладышев И.В., Юрасов А.Н. НАНОЭЛЕКТРОНИКА И НАНОТЕХНОЛОГИИ: ПЕРСПЕКТИВНЫЕ ПОДХОДЫ В ОБРАЗОВАТЕЛЬНОМ ПРОЦЕССЕ// Russian Technological Journal. 2022. Т. 10. № 4. С. 93-100.
  13. Яшин М.М., Рябухин В.Е., Юрасов А.Н. Магнитооптический экваториальный эффект Керра в нанокомпозитах Cox(CoO)1−x. Russian Technological Journal. 2025;13(1):115-121.
Алмазные приборы, технологии и материалы
Алмаз, как широкозонный полупроводник, по совокупности электрофизических параметров превосходит традиционные полупроводниковые материалы, что обеспечивает перспективы создания широкого класса электронных приборов нам его основе, сочетающих высокие быстродействие и температурную стойкость.

Благодаря высокому напряжению пробоя и широкой запрещенной зоне, алмазные приборные структуры обладают низким уровнем шума (темнового тока), что в сочетании с большой величиной энергии смещения в кристаллической решетке, придает им высокую радиационную стойкость и позволяют приборам на основе алмаза функционировать в условиях интенсивных радиационных полей и повышенных температур.

Электрофизические свойства алмаза позволяет создать оптоэлектронные приборы, обладающие широким динамическим диапазоном, высоким быстродействием, работающие в экстремальных условиях окружающей среды. Эти особенности обеспечивают растущий интерес к разработкам и практическому применению алмазных ультрафиолетовых фотоприемников и фотоприемных устройств, а также стимулируют исследования принципиально новых устройств, которые могут стать основой оптоэлектроники и радиофотоники в ближайшем будущем.

Большие перспективы имеются в направления использования в электронике механических свойств алмаза, включая его рекордные механическую твердость, износостойкость, модуль упругости, низкий коэффициент скольжения (сравнимый с пленками фторуглеродов) и коэффициент теплового расширения. Данные свойства алмазных материалов востребованы для создания элементов микроэлектромеханических систем (МЭМС).

Основные работы, опубликованные по результатам исследований:
  1. Алтухов А.А. Алмазы в микроэлектронике: от исследований к разработкам. Под ред. П.П.Мальцева. М.: Техносфера, 2025.- 306 с. ISBN 978-594836-716-3.
  2. Altukhov, A. A. Diamond-Based Detectors of Ionizing Radiation. Russ Microelectron. 52, 205–212 (2023). https://doi.org/10.1134/S1063739723700312
  3. Алтухов, А. А. Радиоэлектронные модули и системы контроля излучений на основе алмазных детекторов // Нано- и микросистемная техника. – 2021. – Т. 23, № 5. – С. 266-276. – DOI 10.17587/nmst.23.266-276.
  4. Лазерное плазмохимическое травление - повышение надёжности приборов электронной техники / С.В.Редькин, В.С. Кондратенко, П.П. Мальцев, А.А. Алтухов // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. – 2023. – № 2(269). – С. 46-53. – DOI 10.36845/2073-8250-2023-269-2-46-53.

© 2025 МИРЭА - Российский технологический университет

Все права на материалы сайта mirea.ru принадлежат РТУ МИРЭА. Правила использования сайта.