Физика твёрдого тела

Направление: Получение кристаллов оксидных фаз с особыми физическими свойствами, изучение их структуры и свойств
Подразделение: НИИ информатики
Руководитель: А.А. Буш, д.т.н., в.н.с. (e-mail: aabush@yandex.ru, тел. + 7 495 365-40-36).

Направление: Исследование магнитоэлектрических взаимодействий в многослойных композитных структурах и возможностей их применений в электронике
Подразделение: Научно-образовательный центр «Магнитоэлектрические материалы и устройства»
Руководитель: Ю.К. Фетисов, д.ф.-м.н., профессор (e-mail: fetisov@mirea.ru, тел. +7 495 434-91-43)

Направление: Исследование магнитных наноструктур
Подразделение: кафедра физики конденсированного состояния
Руководители: А.И. Морозов, д.ф.-м.н., профессор (e-mail: morosov@mirea.ru, тел. +7 495 433-03-11), А.С. Сигов, академик РАН, д.ф.-м.н., профессор.

Получение кристаллов оксидных фаз с особыми физическими свойствами, изучение их структуры и свойств.
Развитие фундаментальной науки и техники во многом базируется на использовании кристаллов с особыми физическими свойствами: сегнетоэлектрическими, магнитными, сверхпроводящими, со смешанной электронно-кислородной проводимостью и др. Исследовательские работы, направленные на выявление, получение и изучение таких кристаллов активно ведутся во всем мире. За последние годы были открыты высокотемпературные сверхпроводники, квазикристаллы, фуллерены, манганиты с эффектом колоссального магнетосопротивления, сегнетомагнитные вещества с гигантскими магнитоэлектрическим и магнетоемкостным эффектами, разработаны теоретические модели, объясняющие основные аспекты указанных явлений. Однако во многих случаях ясного понимания физических механизмов, ответственных за появление особых диэлектрических и других свойств, и однозначной интерпретации наблюдаемых эффектов не достигнуто. Дальнейшие более детальные исследования структуры и свойств материалов с особыми физическими свойствами, а также работы, направленные на расширение таких материалов, должны, очевидно, способствовать раскрытию механизмов возникновения их особых физических свойств и созданию научных основ получения веществ с заданными физическими свойствами.
Целью проводимых в НИИ информатики МИРЭА исследований является выяснение природы диэлектрических, электрических и магнитных свойств, механизмов фазовых переходов в новых и малоизученных фазах оксидных систем с особыми физическими свойствами (сегнетоэлектрическими, магнитными, мультиферроидными, сверхпроводящими и др.). Важными аспектами таких исследований является также создание научных основ синтеза материалов с заданными свойствами и получение материалов, перспективных для применений в электронике.
Основными объектами исследований являются образцы новых или слабоизученных фаз Pb-, Bi-, Cu-, Mn-содержащих оксидных систем. Синтезированы и изучены кристаллы ряда сложнооксидных фаз этих систем с сегнетоэлектрическими и родственными, магнитными, сверхпроводящими свойствами (Pb5Ge3O11, PbGe4O9, BiFeO3, AB2O4, A=Ba, Sr, B=Al, Ga, Bi4V2O11, Bi2Sr2CaCu2Oy, Bi4Sr3CaCu3Oy, LiCu2O2, Sr3CuNb2O9 и др.), получены новые данные об их структуре и свойствах. В частности, обнаружены фазовые переходы сегнетоэлектрического типа в кристаллах ванадатов висмута, германатов свинца (рис. 1, 2), кристаллов MAl2O4 (M = Ba, Sr); изучены особенности атомно-кристаллической и дефектной структуры, диэлектрических, пироэлектрических, проводящих свойств и их взаимосвязи сегнетоэлектрических кристаллов Pb5(Ge1-xSix)3O11 в широкой области концентраций и температур, установлена связь наблюдаемых при x=0,35 и 0,60 критических изменений свойств (рис. 3) с динамикой локализации зарядов на дефектах, показано, что вид наблюдаемых концентрационных зависимостей свойств определяется взаимным положением эффективной температуры Кюри и области термолокализации зарядов.; выявлена новая сегнетоэлектрическая фаза Bi4V2O11, являющаяся родоначальницей семейства суперионных проводников BIMEVOX (Bi4(V,Me)2Oy) с рекордно высокой кислородной проводимостью; обнаружена высокая оптическая нелинейность кристаллов формы PbGe4O9,; выявлена электрическая неустойчивость кристаллов LiCu2O2, проявляющаяся в эффекте электрического порогового переключения с S-образными ВАХ (рис. 4); получены новые данные о магнитной структуре и магнитоэлектрическом взаимодействии в кристаллах системы (Bi1-xRx)FeO3, R = La, Gd, Dy (рис. 5, 6) и так далее.

Полученные образцы, проявляющие сегнетоэлектрические и родственные, магнитные, сверхпроводящие свойства, смешанную электронно-ионную проводимость, эффект порогового электрического переключения, представляют интерес для твердотельной электроники из-за возможности использования их в качестве новых пьезоэлектрических, пироэлектрических, нелинейно оптических, магнитных материалов с улучшенными характеристиками, активных элементов различных датчиков и переключающих устройств, управляемых индуктивных элементов и др. Исследования проводятся по программам Минобрнауки РФ и грантам РФФИ в тесном сотрудничестве с группами из Московского госуниверситета, Института физических проблем РАН и др.


Основные работы, опубликованные по результатам исследований:
  1. Буш А.А., Каменцев К.Е. Электрическая неустойчивость кристаллов LiCu2O2 // Физика твердого тела. – 2004. т.46. №3. с.433-440.
  2. Ruette B., Zvyagin S., Pyatakovv A.P., Bush A., Li J.F., Belotelov V.I., Zvezdin A.K., Viehland D. Magnetic-field-induced phase transition in BiFeO3 observed by high-field electron spin resonance: Cycloidal to homogeneous spin order. Rev // Phys. – 2004. v. B69, 064114 (7 pages).
  3. Буш А.А., Каменцев К.Е., Мамин Р.Ф. Трансформация диэлектрических свойств и возникновение релаксорного поведения в кристаллах Pb5(Ge1-xSix)3O11 // ЖЭТФ. – 2005. т. 100, № 1. с. 156-170.
  4. Masuda T., Zheludev A., Roessli B., Bush A., Markina M, Vasiliev A. Spin waves and magnetic interactions in LiCu2O2. Phys. Rev. 2005, v.B 72, No1, 014405 (7 pages).
  5. Pisarev R.V., Moskvin A.S., Kalashnikova A.M., Bush A.A., Rasing Th. Anomalous optical properties of the mixed-valent lithium cuprate LiCu2O2. Phys. Rev. 2006. v.74B, No13, 132509 (4 pages).
  6. Торгашев В.И., Волков А.А., Буш А.А., Жукова Е.С., Мигунов С.Н., Лобанов А.Н., Горшунов Б.П. Дисперсия диэлектрических констант в висмут-стронциевом феррите (Bi,Sr)FeO3-x перовскито-подобном твердом растворе с переменной валентностью. ФТТ. 2007, т.49, №9, с.1576-1581.
  7. Буш А.А., Каменцев К.Е., Тищенко Э.А., Черепанов В.М. Выращивание и изучение кристаллов системы LiCu2O2-NaCu2O2. Неорганические материалы. 2008, т.44, №6. с.720-726.
  8. Буш А.А., Сиротинкин В.П. Диэлектрические свойства керамики фазы Sr3CuNb2O9 со структурой перовскита. Неорганические материалы. 2008, т.44, №11., с.1367-1374.
  9. Свистов Л.Е., Прозорова Л.А., Фарутин А.М., Гиппиус А.А., Охотников К.С., Буш А.А., Каменцев К.Е., Тищенко Э.А. Магнитная структура квазиодномерного фрустрированного антиферромагнетика LiCu2O2 со спином S=1/2. ЖЭТФ. 2009. Т.135. №06. С.1151-1161.
  10. Storchak V.G., Brewer J.H., Arseneau D.J., Stubbs L.S., Parfenov O.E., Eshchenko D.G., Bush A.A. Electron Localization into a Bound Spin Polaron in the Quasi-1D S=1/2 Antiferromagnet LiCu2O2. Phys. Rev. 2009. V.B79. No22. 220406(R) (4 pages).
  11. Буш А.А., Шкуратов В.Я., Черных И.А., Фетисов Ю.К. Толстопленочные слоистые композитные структуры цирконат-титанат свинца – феррит никеля-цинка: получение методом сеткотрафаретной печати и магнитоэлеткрические свойства. ЖТФ. 2010, т.80. №3. С.69-76.
  12. Командин Г.А, Торгашев В.И., Волков А.А., Породинков О.Е., Спектор И.Е., Буш А.А. Оптические свойства керамики BiFeO3 в диапазоне частот 0,3–30 THz. ФТТ. 2010, т.52, №4, с.684-692.
  13. А.А. Буш, К.Е. Каменцев, А.М. Лаврентьев, А.Г. Сегалла, Ю.К. Фетисов. Диэлектрические и пьезоэлектрические свойства керамических образцов твердых растворов (1-2x)BiScO3• xPbTiO3•xPbMg1/3Nb2/3O3 (0,30≤x≤0,46). Неорганические материалы. 2011. Т.47. №7. С.865-871 (Inorganic materials, P.779-786).
  14. Буш А.А., Каменцев К.Е., Сиомко В.О. Электретный эффект в кристаллах сегнетоэлектрического германата свинца Pb5Ge3O11. Неорганические материалы. 2011. Т.47. №9. С.1083-1090. (Inorganic materials, P.983-989).
  15. A.V. Pronin, M. Uhlarz, R. Beyer, T. Fischer, J. Wosnitza, B.P. Gorshunov, G.A. Komandin, A.S. Prokhorov, M. Dressel, A.A. Bush, V.I. Torgashev. B-T phase diagram of CoCr2O4 in magnetic fields up to 14 T. Phys. Rev. 2012. V.B85. No01. 012101 (3 pages).
  16. В.И. Торгашев, А.С. Прохоров, Г.А. Командин, Е.С. Жукова, Б.П. Горшунов, В.Б. Анзин, В.М. Таланов, Л.М. Рабкин, А.А. Буш, M. Dressel. Магнитный и диэлектрический отклик кобальт-хромовой шпинели CoCr2O4 в терагерцовой области частот. ФТТ. 2012. Т.54. №2. С.330-339.
  17. A.A. Bush, V.N. Glazkov, M. Hagiwara, T. Kashiwagi, S. Kimura, K., Omura, L.A. Prozorova, L.E. Svistov, A.M. Vasiliev, A. Zheludev. Magnetic phase diagram of the frustrated S = 1/2 chain magnet LiCu2O2. Phys. Rev. 2012. V.85B. No05. 054421 (7 pages).
Исследование магнитоэлектрических взаимодействий в многослойных композитных структурах и возможностей их применения в электронике.
Магнитоэлектрические (МЭ) взаимодействия наблюдаются в твердых телах, обладающих одновременно магнитным и электрическим упорядочением, и проявляются в изменении намагниченности вещества M под действием электрического поля E или изменении электрической поляризации вещества P под действием магнитного поля H. Такие взаимодействия обнаружены в монокристаллах и в искусственно созданных композитах, представляющих собой смесь порошков ферромагнитной и сегнетоэлектрической фаз или слоистую структуру с чередующимися ферромагнитными и сегнетоэлектрическими слоями. В композитах МЭ взаимодействия возникают благодаря комбинации магнитострикции и пьезоэффекта посредством механической связи между фазами. Показано, что в объемных композитах и многослойных структурах величина МЭ взаимодействий может на 2-4 порядка превышать величину взаимодействия в естественных кристаллах. Это открывает широкие возможности для использования МЭ композитных структур в микроэлектронике и информатике.
Целью исследований, проводимых в НИИ информатики начиная с 2000 г, являются: поиск и синтез новых материалов, перспективных для изготовления объемных и многослойных МЭ структур; разработка технологий изготовления нанокомпозитов и структур со слоями толщиной 10-8 -10-3 м; экспериментальное исследование МЭ взаимодействий в диапазоне частот 10-3 - 1010 Гц, в интервале температур 80 - 500 К и в диапазоне магнитных полей 10-9 - 10 Тл; построение моделей МЭ взаимодействий; разработка методик расчета характеристик МЭ взаимодействий в различных структурах, создание различных устройств на основе МЭ взаимодействий в композитных структурах.
За последние годы членами коллектива изучены характеристики МЭ взаимодействий в структурах с различными магнитными (никель, никель-цинковый феррит, галфенол, аморфный металл) и пьезоэлектрическими слоями, установлены зависимости эффективности взаимодействия от величины, ориентации и частоты магнитного поля, температуры образцов, исследовано влияние конечной проводимости слоев структуры на величину генерируемого МЭ напряжения, показаны возможности повышения эффективности МЭ взаимодействий в условиях акустических резонансов.
Продемонстрирована возможность перестройки с помощью электрического поля частоты ферромагнитного резонанса, времени задержки и фазы спиновых волн в пленочных структурах ферромагнетик-пьезоэлектрик. Исследованы сверхвысокочастотные свойства композитных пленок из ферромагнитных нанопорошков с частицами FeCoNi различной формы (сферы, диски, стержни). Изготовлены и исследованы МЭ датчики переменных и постоянных магнитных полей оригинальной конструкции, обладающие чувствительностью до 10-9 Тл при комнатной температуре.




В настоящее время проводятся поисковые и прикладные исследования в следующих основных направлениях:
  • изучение характеристик МЭ взаимодействий в тонко- и толстопленочных структурах различных составов;
  • разработка управляемых датчиков магнитных полей, устройств обработки информации и элементов памяти на основе МЭ взаимодействий в композитных структурах;
  • разработка и исследование автономных генераторов электрического напряжения с использованием МЭ взаимодействий.

Исследования выполняются по проектам Минобрнауки РФ, грантам РФФИ и различным международным программам в тесном сотрудничестве с группами из Оклэндского университета (США), университета Париж-13 (Франция), университета Эколь Централь (Франция), Университета г. Регенсбург (Германия), ИРЭ РАН, ОАО НИИ «Элпа» и ряда российских университетов.

Основные работы, опубликованные по результатам исследований:

  1. А. Остащенко, Ю. Фетисов, В. Преображенский. Магнитоэлектрический эффект в многослойных пленочных структурах, Lambert Academic Publishing GmbH & Co. KG , 2011, 159 стр.;
  2. докладывались на 20-ти международных конференциях, опубликованы более, чем в 25-ти статьях в ведущих международных журналах, в том числе:
  3. Ю.К. Фетисов. Магнитоэлектрический эффект в многослойных структурах магнетик-пьезоэлектрик и его применения // Радиотехника, 2007, № 9, с. 78-82.
  4. К.Е. Каменцев, Ю.К. Фетисов, G. Srinivasan. Сверхнизкочастотный магнитоэлектрический эффект в многослойной пленочной структуре феррит-пьезоэлектрик //ЖТФ, 2007, т. 77, в. 6, с. 50-56.
  5. A.V. Ustinov, G. Srinivasan, Y.K. Fetisov. Micriwave resonators based on single-cryatal yttrium-iron garnet and lead magnesium niobate -lead titanate layered structures // J. Appl. Phys., 2008, v 103, p. 063901.
  6. V.F. Meshcheryakov, Y.K. Fetisov A.A. Stashkevitch, G. Viau. Magnetic and microwave properties of nanocomposite films on the basis of Fe-Co-Ni particles of various shape// J. Appl. Phys., 2008, v. 104, p. 063910.
  7. Д.В. Чашин, Ю.К. Фетисов. Преобразование переменных магнитных и электрических полей в кольцевой структуре сегнетоэлектрик-проводник // Письма в ЖТФ, 2009, т. 35, в. 15, с. 50-56.
  8. K.E. Kamentsev, D.V. Chashin, L.Y. Fetisov, Y.K. Fetisov, G. Srinivasan. Converse magnetoelecrtic effects in a galfenol and lead zirconate titanate bilayer //J Appl. Phys. 2009, v 105, p. 123918.
  9. K.E. Kamentsev, D.V. Chashin, L.Y. Fetisov, Y.K. Fetisov, G. Srinivasan. Converse magnetoelecrtic effects in a galfenol and lead zirconate titanate bilayer // J Appl. Phys. 2009, v 105, p. 123918.
  10. Y.K. Fetisov, D.V. Chashin, A.G. Segalla, G. Srinivasan. Resonance magnetoelectric effects in a piezoelectric bimorph. J. Appl. Phys. 2011, V. 110, Paper 066101.
  11. Ю. К.Фетисов, Д.В.Чашин, С.В. Лебедев, А.Г. Сегала, А.Г. Итальянцев, Е.С.ГорневПьезоэлектрический датчик магнитного поля на основе планарной биморфной структуры с током // Нано- и микросистемная техника, 2011, № 4(129), с. 45-48.
  12. G. Srinivasulu, L.Y. Fetisov. Y.K. Fetisov, G. Srinivasan. Piezoelectric single crystal and ferromagnetic composites: studies on low frequency and resonance magnetoelectric effects. // Appl. Phys. Lett. 2012, v. 100.
  13. защищены патентами Российской Федерации:
  14. Датчик магнитного поля. Патент на полезную модель № 83139, приоритет от 02.03.2009 г.
  15. Датчик магнитного поля. Патент на полезную модель № 94721, приоритет от 17.03.2010 г.
  16. Датчик постоянного магнитного поля. Патент на полезную модель № 102812, приоритет от 05.10.2010 г.

В 2011 году участнику проводимых исследований студенту МИРЭА И.М. Крыканову, гр. ЭЭМ-1-05, за научную работу по теме "Магнитоэлектрическое взаимодействие в композитных пьезоэлектрических структурах". Президиум Российской академии наук присудил медаль Российской академии наук с премией для студентов высших учебных заведений России.
Исследование магнитных наноструктур.
Многослойные магнитные структуры с толщиной слоев в несколько нанометров привлекли к себе пристальное внимание исследователей после открытия в них явления гигантского магнетосопротивления, которое сразу же нашло широкое практическое применение. В основе принципа действия считывающих головок жестких дисков емкостью 100 Гб – 1 Тб, которыми укомплектованы персональные компьютеры, лежит именно этот эффект. Внедрение таких головок позволило перейти к более плотной записи и увеличить емкость жестких дисков. Многослойные магнитные структуры широко используются в качестве датчиков магнитного поля и находят все новые применения. На их основе создается энергонезависимая магнитная память с произвольной выборкой, которая, при благоприятном развитии событий, будет способна заменить как жесткие диски, так и оперативную память на основе полупроводников.
Наряду с этим оказалось, что многослойные магнитные структуры являются чрезвычайно интересным объектом для фундаментальных исследований. В случае столь тонких слоев (характерные толщины слоев составляют единицы-десятки ангстрем) влияние границ и размерные эффекты являются очень существенными, поэтому физические свойства тонких слоев могут сильно отличаться от свойств соответствующих объемных материалов. Более того, оказалось, что качество границ раздела слоев зачастую служит фактором, определяющим их физические и, в частности, магнитные свойства. Шероховатость границ раздела слоев в многослойных магнитных структурах, в частности наличие на них атомных ступеней, приводит к фрустрациям обменного взаимодействия между спинами.
В работах данной научной группы было показано, что в определенных условиях такие фрустрации вызывают появление доменных стенок нового типа, характеристики которых определяются в результате конкуренции обменных взаимодействий, а не обменной энергии и энергии анизотропии, как в случае традиционных доменных границ. Такие доменные стенки оказываются намного более резкими, чем обычные доменные стенки. Позднее предсказанный тип доменных стенок был обнаружен экспериментально немецкими учеными. Учеными МИРЭА были найдены условия возникновения микро- (нано-) доменного состояния и рассчитаны магнитные фазовые диаграммы для наноструктур ферромагнетик -немагнитный метал - ферромагнетик и ферромагнетик - антиферромагнетик.

Основные работы, опубликованные по результатам исследований:
  1. A.I. Morosov, A.S. Sigov. Theory of Ferromagnetic-Antiferromagnetic Interface Coupling // In “Magnetic Properties of Antiferromagnetic Oxide Materials” Edited by Lamberto Duo, Marco Finazzi, Franco Ciccacci, Wiley-vch Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim (Germany), 2010, 343 p. - pp.191-238.
  2. A.I. Morosov, A.S. Sigov. Influence of Single-Ion Anisotropy on the Exchange Bias in "Ferromagnet-Antiferromagnet" System // In “Giant Magnetoresistance: New Research” Edited by D. Torres and Daniel A. Perez, Nova Publishers, 2009, 289 p. - pp.157-182.
  3. А.И. Морозов, А.С. Сигов. Многослойные магнитные наноструктуры // В «Нанонаука и нанотехнологии. Энциклопедия систем жизнеобеспечения.» М.:ООО «Издательский дом Магистр-пресс», 2009 г., 992 стр. - стр. 243-270.
  4. Морозов А.И., Сигов А.С. Фрустрированные многослойные структуры ферромагнетик-антиферромагнетик: выход за рамки обменного приближения (Обзор). ФТТ, 2012, т.54, вып.2, С. 209-229.
  5. А.И. Морозов, А.С. Сигов. Поверхностный спин-флоп переход в антиферромагнетике. УФН, 2010, т.180, №7, С.709-722.
  6. Морозов А.И., Сигов А.С. Новый тип доменных стенок - доменные стенки, порождаемые фрустрациями в многослойных магнитных наноструктурах (Обзор). ФТТ, 2004, т. 46, вып. 3, С. 385-400.
  7. А.И. Морозов. Разрушение дальнего антиферромагнитного порядка дефектами типа «случайное локальное поле». ФТТ, 2011, т.53, вып.4, С. 705-706.
  8. А.И. Морозов, Д.О. Рынков. Обменный сдвиг в двухслойной системе ферромагнетик – антиферромагнетик с близкими температурами фазовых переходов. ФТТ, 2011, т.53, вып.1, С. 66-69.
  9. А.И. Морозов, И.А. Морозов. Магнитная фазовая диаграмма спин-вентильной структуры с антиферромагнитным оксидным слоем. ФТТ, 2011, т.53, вып.1, С. 58-65.
  10. А.И. Морозов, И.А. Морозов, А.С. Сигов. Искажения магнитных параметров порядка, вызванные «заряженными» краями атомных ступеней на границе раздела ферромагнетик-антиферромагнетик. ФТТ, 2010, т. 52, вып. 2, С. 302-306.
  11. А.И. Морозов, А.С. Сигов. Концентрационный фазовый переход в системах со слабой анизотропией. Письма в ЖЭТФ, 2009, т. 90, вып. 11, С. 818-820.
  12. A.I. Morosov. Magnetic phase diagram of the frustrated two – layer system ferromagnet – antiferromagnet. J. Magn. Magn. Mater., 2009, V. 321, N 7, pp. 868-871.
  13. А.И. Морозов. Концентрационная зависимость когерентного вклада доменных стенок в электросопротивление. ФТТ, 2009, т. 51, вып. 5, С. 920-922.
  14. Морозов А.И., Морозов И.А. Магнитная фазовая диаграмма спин-вентильной структуры ферромагнетик-антиферромагнетик - ферромагнетик с шероховатыми границами раздела. ФТТ, 2008, т. 50, вып. 10, С. 1846-1852.
  15. Морозов А.И. Магнитная фазовая диаграмма двухслойной системы ферромагнетик-антиферромагнетик с шероховатой границей раздела. ФТТ, 2008. т. 50, вып. 4, С. 675-680.
  16. А.И. Морозов, Д.О. Рынков. Магнитная структура границы раздела системы ферромагнетик – антиферромагнетик с параллельными осями анизотропии. ФТТ, 2007, т. 49, вып. 10, С. 1849-1852.
  17. А.И. Морозов, И.А. Морозов, А.С. Сигов. Искажения магнитной структуры тонкого слоя антиферромагнетика в магнитном поле. ФТТ, 2007, т. 49, вып. 7, С. 1228-1235.
  18. А.И. Морозов, И.А. Морозов, А.С. Сигов. Поверхностные искажения магнитной структуры одноосного антиферромагнетика: фазовая диаграмма «магнитное поле-шероховатость». ФТТ, 2006, т. 48, вып. 10, С. 1798-1804.
  19. A.A. Berzin, A.I. Morosov, A.S. Sigov. Magnetic structure distortions induced by magnetic field near the antiferromagnet surface. J. Magn. Magn. Mater., 2006, V. 300, N 1, pp. 153-158.
  20. А.А. Берзин, Морозов А.И., Сигов А.С. Размерные эффекты в тонких антиферромагнитных слоях и многослойных магнитных структурах ферромагнетик - немагнитный металл. ФТТ, 2005, т. 47, вып. 11, С. 2009-2014.
  21. А.А. Берзин, Морозов А.И., Сигов А.С. Искажения магнитной структуры, индуцированные магнитным полем вблизи поверхности антиферромагнетика. ФТТ, 2005, т. 47, вып. 9, С. 1651-1659.
  22. Морозов А.И. Вклад "необычных" доменных стенок в магнетосопротивление многослойных магнитных структур. ФТТ, 2003, т. 45, вып. 8, С. 1417-1422.
  23. Morosov A.I., Sigov A.S. Proximity effect in ferromagnet-antiferromagnet systems. J. Magn. Magn. Mater., 2003, V. 258-259, pp. 388-390.
  24. Левченко В.Д., Морозов А.И., Сигов А.С. Фазовая диаграмма многослойных магнитных структур. ЖЭТФ, 2002, т. 121, вып. 5, C. 1149-1156.
  25. Левченко В.Д., Морозов А.И., Сигов А.С. Фазовая диаграмма тонкой ферромагнитной пленки на поверхности антиферромагнетика. Письма в ЖЭТФ, 2000, т. 71, вып. 9, C. 544-549.
  26. А.И. Морозов, А.С. Сигов. Фазовая диаграмма многослойных структур ферромагнетик - слоистый антиферромагнетик. ФТТ, 1999, т. 41, вып. 7, C. 1240-1247.
  27. В.Д. Левченко, А.И. Морозов, А.С. Сигов, Ю.С. Сигов. "Необычные" доменные стенки в мультислоях ферромагнетик - слоистый антиферромагнетик. ЖЭТФ, 1998, т. 114, вып. 5, C. 1817-1826.
  28. А.И. Морозов, А.С. Сигов. Шероховатость границы раздела слоев и фазовая диаграмма магнитных многослойных структур. ФТТ, 1997, т. 39, вып. 7, C.1244-1247.
  29. А.И. Морозов, А.С. Сигов. Шероховатость поверхности слоев и гигантское магнетосопротивление магнитных многослойных структур. Письма в ЖЭТФ, 1995, т. 61, вып. 11, C. 893-898.
Система Orphus