Микро- и наноэлектроника

Направление: Гетероструктуры сенгетоэлектрик манганит: транспортные и нелинейно-оптические свойства
Направление: Материалы для монолитных фотонных интегральных схем
Направление: Двухфотонная микроскопия-спектроскопия сегнетоэлектрических, органических и полупроводниковых наноструктур
Подразделение: кафедра физики конденсированного состояния, лаборатория фемтосекундной оптики
Руководитель: Е.Д. Мишина, д.ф.-м.н., в.н.с.

Направление: Новое поколение неорганически-органических гибридных материалов с управляемой наноструктурой
Подразделение: кафедра физики конденсированного состояния
Руководитель: К.А. Воротилов, д.т.н., профессор, (e-mail: vorotilov@mirea.ru)

Направление: Интегрированные сегнетоэлектрические устройства
Подразделение: кафедра физики конденсированного состояния
Руководитель: А.С. Сигов, академик РАН, д.ф.-м.н., профессор, заведующий кафедрой ФКС (e-mail: president@mirea.ru)

Гетероструктуры сенгетоэлектрик манганит: транспортные и нелинейно-оптические свойства.
Интенсивные исследования одного из классов мультиферроиков, слоистых структур сегнетоэлектрик-магнетик, возобновили интерес к эффекту туннелирования электронов через сегнетоэлектрик, который как основы «полярного переключателя». Туннельные перехо¬ды через сегнетоэлектрик могут быть использованы в спинтронике, основанной на транспортных свойствах спин-поляризованных электронов.
Структуры La0.75Ca0.25MnO3/BaTiO3 (LCMO/BTO) были изготовлены методом аэрозольного осаждения на подложке MgO(100), толщины слоев 9.6 и 7.7 нм, соответственно. Пленка LCMO обладает фазовым переходом парамагнетик/ферромагнетик при температуре Кюри Tc= 190К и фазовым переходом изолятор/проводник при температуре TMI= 157К. На поверхность пленки BTO нанесены электроды с зазором 25 мкм. Такая электродная схема обеспечивает в случае высокого сопротивления обоих слоев ориентацию электрического поля вдоль пленки и соответствующее переключение сегнетоэлектрической поляризации.
Исследовались вольт-амперные характеристики, а также зависимость интенсивности второй оптическое гармоники от приложенного между электродами напряжения. Было обнаружено, что вблизи и выше фазового перехода зависимость тока от напряжения слабая, а зависимость интенсивности ВГ от напряжения отсутствует. При понижении температуры сила тока в зависимости от напряжения экспоненциально возрастает, так же, как и интенсивность ВГ.
Ниже точки перехода изолятор-проводник в пленке LCMO вблизи каждого металлического электрода возникает структура типа металл/диэлектрик/металл, где роль диэлектрика играет пленка BTO. Таким образом, для носителей заряда в этих областях имеется потенциальный барьер, и основным механизмом проводимости нанометровой пленки BTO является квантовое туннелирование. Это предположений обосновывается хорошим совпадением экспериментальных данных с аппроксимацией плотности туннельного тока по формуле Бете-Зоммерфельда.
Увеличение сигнала ВГ имеет две причины. Во-первых, это сегнетоэлектрическая поляризация в пленке BTO, которая переключается при наложении электрического поля. Второй причиной зависимости интенсивности ВГ от напряжения является изменение симметрии LCMO при протекании через него тока. В отсутствие тока пленка LCMO центросимметрична. При протекании тока центральная симметрия нарушается, и появляется дипольный вклад в нелинейную (оптическую) поляризацию. В целом, представленные в работе исследования показывают, что источником оптической нелинейности в гетероструктуре BTO/LCMO является ток, возникающий за счет туннелирования электронов через сегнетоэлектрический барьер и протекающий затем по манганиту гетероструктуры.

Основные работы, опубликованные по результатам исследований:
  1. М.С. Иванов, Е.Д. Мишина, В.Г.Морозов,Исследование гетероструктуры сегнетоэлектрик/манганит методом генерации второй оптической гармоники, Известия РАН 2010, том 74, № 9, с. 1333–1336
  2. E.D. Mishina; V.M. Muhortov; A.S. Sigov, Ferroelectric thin films in planar geometry: fabrication and perspectives for integration, Integrated ferroelectrics, Volume 106, Issue 1, Pages 1 – 10, 2009
  3. Н.Э. Шерстюк, Н.А. Ильин, С.В. Семин, Е.Д. Мишина, В.М. Мухортов, Исследование сегнетоэлектрических свойств пленок феррита висмута методом генерации второй оптической гармоники, ФТТ 51, № 7, 1284-1286 (2009).
  4. Иванов М.С., Афанасьев М.С. Особенности формирования тонких сегнетоэлектрических пленок Bax Sr1−x TiO3 на различных подложках методом высокочастотного распыления ФТТ 51, 259 (2009)
Материалы для монолитных фотонных интегральных схем.
Мировая микро- и оптоэлектронная индустрия рассматривает нанофотонику как основу информационных технологий будущего. В частности, современная тенденция развития телекоммуникации состоит в увеличении скорости и объема передаваемой и обрабатываемой информации до 100-300 ГГц, что может быть достигнуто только при максимальной интеграции элементов и полностью оптического управления сигналами. Промежуточным шагом на этом пути является совершенствование электромагнитных методов управления оптическими сигналами. Элементной базой для оптоэлектроники нового поколения являются перестраиваемые двумерные фотонные кристаллы (ФК). Важнейшей задачей, направленной на существенное увеличение степени интеграции, является создание узлов ввода-вывода излучения нового типа.
Металлические наноструктуры с упорядоченным расположением нанообъектов (наночастиц или, в инвертированном случае, наноотверстий), иногда называемые наноплазмонными структурами, позволяют управлять распространением и пространственной локализацией света за счет резонансного возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов. Например, упорядоченная структура наночастиц с периодом порядка оптической длины волны, проявляет свойства двумерного (плазмонного) фотонного кристалла и позволяет осуществлять управление распространением электромагнитной волны в спектральном диапазоне, определяемым параметрами запрещенной фотонной зоны. При определенных типах симметрии наноэлементов возможно формирование оптических элементов с размерами, меньшими оптической длины волны. Это открывает путь к созданию новых наноплазмонных структур, функционирующих как элементы устройств нанофотоники, допускающих встраивание в существующие технологии полупроводниковых приборов.
Нами получены двумерные магнитоплазмонные кристаллы, представляющие собой инвертированный опал на основе никеля. Проведены исследования меридиональный магнитооптического эффекта Керра и обнаружено уменьшение относительного магнитооптического отклика в области длин волн около 1600 нм, находящихся вблизи положения провала в спектре отражения. Измерены спектральные зависимости линейного и нелинейного экваториального эффектов Керра, а также петли гистерезиса для линейного и нелинейного эффектов Керра.
На основе эпитаксиальной сегнетоэлектрической пленки BaSrTiO3 получен двумерный фотонный кристалл (ФК) с системой электродов, обеспечивающей взаимодействие падающей и прошедшей световых волн. Исследования спектральных характеристик выявили наличие запрещенной фотонной зоны вблизи 1,5 эВ. Показана возможность пространственно-частотной перестройки световой волны второй гармоники, генерируемой ФК. (Эффективность переключения достигает 6000 %).
Разработана оптическая антенна, представляющая собой металлическую планарную полосковую структуру, нанесенную в виде модуля и представляющую собой подложку из диэлектрического материала, центральным элементом которой является полосок для связи с двумерным фотонным кристаллом или активной фотонно-кристаллической структурой, выполненный шириной по крайней мере на порядок меньшей длины волны электромагнитного излучения оптического диапазона, окруженный сплошной металлической областью, отделенной от полоска зазором шириной по крайней мере на порядок меньшим длины этой же волны, каждый конец полоска выполнен выступающим за пределы сплошной металлической области, которая на подложке выполнена прямоугольной формы с двумя прямоугольной формы вырезами на противоположных сторонах, полосок выполнен прямолинейным и размещен между вырезами, а концы полоска выведены в зону вырезов.

Основные работы, опубликованные по результатам исследований:
  1. L. V. Simagina , E. D. Mishina , S. V. Semin, N. A. Ilyin, T. R. Volk, R. V. Gainutdinov, L. I. Ivleva, Second harmonic generation on the microdomain gratings created in strontium-barium niobate crystals in the field of atomic force microscope. JAP 110, 052015 (2011)
  2. Н.А. Ильин, Т.В. Никонорова, Н.Э. Шерстюк, Е.Д. Мишина, Оптические свойства фотоннокристаллических структур на основе монокристаллического GaAs.Нано- и микросистемная техника, №3, С.17-20 (2011)
  3. N. A. Sapoletova, T. V. Makarevich, K. S. Napolskу, E. D. Mishina, A. A. Eliseev, A. van Etteger, T. Rasing, G. A. Tsirlina,Controlled growth of metallic inverse opals by electrodeposition, PCCP, 2010 Phys Chem Chem Phys. 2010 Dec 21;12(47):15414-22.
  4. P.P. Vabishchevich, F.Y. Sychev, V.O. Bessonov, M. R. Shcherbakov, T. V. Dolgova, E.D. Mishina, A.S. Sigov, Andrey A. Fedyanin, Femtosecond dynamics of resonantly enhanced surface plasmons in planar plasmonic crystals, Proc. SPIE 7713, 771312 (2010)
  5. 1. K. Napolskii, N. Sapoletova, A. Eliseev, G. Tsirlina, A. Rubacheva, E. Gan'shina, M. Kuznetsov, M. Ivanov, V. Valdner, E.Mishina, A. van Etteger, Th. Rasing, Magnetophotonic properties of inverse magnetic metal opals, J. Magn. Magn. Mat. 321, Issue 7, Pages 833-835 (2009)
  6. 2. E.D. MISHINA; V.M. MUHORTOV; A.S. SIGOV FERROELECTRIC THIN FILMS IN PLANAR GEOMETRY: FABRICATION AND PERSPECTIVES FOR INTEGRATION:Integrated ferroelectrics, Volume 106, Issue 1, Pages 1 – 10, 2009

Патенты:
  1. В.О. Вальднер, Н.Э. Шерстюк, С.В. Семин, Е.Д. Мишина, Устройство оптической антенны для оптических интегральных схем (варианты) и оптическая планарная фотонная единица (варианты). Патент РФ на изобретение № 2379629 от 20.01.2010 г.
  2. Е.Д. Мишина, Н.Э. Шерстюк, М.А. Кузнецов, Н.А. Ильин Способ оптической регистрации быстропротекающих процессов. Патент РФ на изобретение № 2359253 от 20.06.2009 г.
Двухфотонная микроскопия-спектроскопия сегнетоэлектрических, органических и полупроводниковых наноструктур.
Нелинейно-оптическая микроскопия находит широкое применение при изучении различных физических и биологических явлений и объектов, как правило, в конфокальной геометрии. Данный метод диагностики материалов включает в себя такие методики, как генерация второй оптической гармоники (ГВГ) и двухфотонная люминесценция (ДФЛ).
На сегодняшний день основной областью применения многофотонной конфокальной микроскопии является биология. Данная методика позволяет получать детальные трехмерные изображения биологических объектов и тканей за счет изменения фокусировки лазерного излучения благодаря существенно большей по сравнению с неорганическими материалами глубиной проникновения излучения на основной длине волны (700-1000 nm) в биологические ткани (биологическое окно прозрачности). Для исследования твердотельных микроструктур выпускаются конфокальные профилометры, позволяющие получать аналогичные изображения, однако, эти приборы являются однофотонными, и их функциональные возможности достаточно ограничены. Нелинейно-оптическая сканирующая микроскопия, основанная на генерации второй гармоники, эффективна при исследовании функциональных материалов. Она позволяет исследовать доменную структуру сегнетоэлектриков и мультиферроиков, а также эффекты переключения поляризации и особенности фазовых переходов в сегнетоэлектрических и мультиферроидных микроструктурах.
В 2012 году нами раcсмотрены особенности применения двухфотонной микроскопии и спектроскопии для исследования мультиферроидных и пьезоэлектрических наноразмерных структур. В наноразмерных планарных мультислойных струкутрах титанат бария стронция/феррит висмута показано проявление в нелинейно-оптическом отклике локальных электро-индуциронанного и магнито-индуцированного вкладов в определенных спектральных диапазонах. В пьезоэлектрических био-микротрубках пептидов показано, эти объекты являются нецентросимметричными, обладают высокм (5 мВ/см) значение нелинейной восприимчивости (что сравнимо с таким нелинейно-оптическимматриалом, как ниобат лития). Трубки претерпевают фазовый переход в центросимметричное состояние. Максимальное значение интенсивности ВГ не меняется вдоль трубки, в то время как направление поляризации изменяется значительно.

Основные работы, опубликованные по результатам исследований:
  1. С.В. Семин, A.В. Кудрявцев, Е.Д. Мишина, Автоматизированный двухфотонный сканирующий микроскоп, ПТЭ, 2012, № 1, с. 1–7
  2. С.В. Семин, Н.Э. Шерстюк, Е.Д.Мишина, К. Герман, Л. Кулюк, Т. Расинг, Л. Пенг, Картирование усиления двухфотонной люминесценции в наноструктурах оксида цинка, ФТП, 2012, Т.46,№3, С.376-378
  3. Е.Д.Мишина, С.В.Семин, К.В.Швырков, А.В.Кудрявцев, Н.А.Ильин, Н.Э.Шерстюк Нелинейно-оптическая микроскопия и спектроскопия сегнетоэлектрических и мультиферроидных материалов, ФТТ, 2012. Т.54.В.5.С. 836-842
  4. I.Bdikin, V.Bystrov, A.Heredia, I.Delgadillo, J. Gracio, S. Kopyl, E. Mishina, A. Sigov, A. Kholkin, Polarization switching and ferroelectric phase transition in diphenylalanine peptide nanotubes J. Appl. Phys. 111, 074104 (2012)
  5. А.В. Кудрявцев, К.В.Швырков, Е.Д.Мишина, А.С. Сигов, A. Handelman, N Amdursky, G.Rosenman, Био-сегнетоэлектричество и био-пьезоэлектричество, ФТТ, 2012, Т.54.В.6.С. 81187-1192
  6. I.K.Bdikin, V.S.Bystrov, S. Kopyl , R.P.G. Lopes , I.Delgadillo , J.Gracio , E.D.Mishina, A.S.Sigov, A.Kholin, Evidence of Ferroelectricity and phase transition in pressed diphenylalanine peptide nanotubes, APL, 100, 043702 (2012)
  7. G. Rosenman, P. Beker, I. Koren, M. Yevnin, B. Bank-Srour, E. Mishina and S. Semin, Bioinspired peptide nanotubes: deposition technology, basic physics and nanotechnology applications, Journal of Peptide Science, 17 , №2 (2011), (pages 75–87)
  8. Nadav Amdursky, Peter Beker, Itai Koren, Becky Bank-Srour, Elena Mishina, Sergey Semin, Theo Rasing, Yuri Rosenberg, Zahava Barkay, Ehud Gazit, Gil Rosenman, Structural Transition in Peptide Nanotubes, Biomacromolecules 12, 1349 (2011).
Новое поколение неорганически-органических гибридных материалов с управляемой наноструктурой.
Одной из самых сложных задач, ставшей перед полупроводниковой индустрией в последнее десятилетие, явился поиск новых диэлектрических материалов и их интеграция в технологические процессы микроэлектроники.
Скейлинг топологических размеров ИС сопровождается поиском новых конструктивных и технологических решений в процессах создания систем многоуровневой разводки ИС. Общая длина межсоединений в современной ИС приближается к 10 км на кристалл, при этом для обеспечения коммутации всех элементов необходимо создание до 10 уровней металлизационной системы. Ограничения на пути дальнейшего увеличения степени интеграции обусловлены значительным ростом временных задержек и тепловыделений в системе межсоединений. Для поддержания темпов смены проектных технологических норм микроэлектронная индустрия совершает переход на новые технологии формирования систем металлизации с использованием медных проводников и изолирующих диэлектрических слоев с низкой (k<3,8), а впоследствии и с ультранизкой (k<2,2) диэлектрической проницаемостью.
Золь-гель метод оказался чрезвычайно удачным технологическим решением для решения задач создания изолирующих диэлектрических слоев систем многоуровневой металлизации ИС. Первое семейство растворов метил-модифицированных силикатов (МЕМОСИЛ или т.н. SOG spin-on glass) нашло применение для процесса планаризации рельефа металлизации (рис. 1 а, табл. 1) и выпускаются МИРЭА по согласованным с ОАО «Микрон» техническим условиям.
Для снижения величины диэлектрической проницаемости в пленках разработаны методы создания пористой структуры путем выжигания органических молекул в матрице кремнийорганического полимера или путем прямого золь-гель синтеза пленки аэрогеля. Последнее поколение разработанных пористых диэлектриков позволяет получить материалы с упорядоченной структурой пор: напр. гексагональной, кубической или ламеллярной. Данный метод основан на способности мицелл некоторых поверхностно-активных веществ образовывать упорядоченные жидко-кристаллические фазы, которые являются шаблоном для образования пористой структуры силикатной пленки. На рис. 1 б показаны результаты промышленной апробации растворов МИРЭА в рамках совместных работ с ОАО «Микрон». Рисунок демонстрирует хорошее заполнение пористым диэлектриком зазоров между проводниками с формированием планарной поверхности.
a) b)
2b.jpg

Рис. 1. Применение метил-модифицированных силикатов в системах многоуровневой металлизации ИС:
а) раствор МЕМОСИЛ производства МИРЭА;
б) пористый диэлектрический материал

Широкое применение в радио- и микроэлектронике находят также полифункцинальные полимерные пленочные покрытия на основе политетрафторэтилена, полипараксилилена и активных органических соединений – фталоцианинов толщиной 0,01…10 мкм (см. табл. 1, рис. 2). Для синтеза подобных полимерных соединений используется процесс газофазной полимеризации в вакууме.
Проведены исследования влияния технологических параметров газофазной полимеризации на химическую, надмолекулярную структуру и физико-химические свойства получаемых пленочных покрытий. Исследованы механизмы роста пленок и формирования полимерной структуры, изучены электрические, адгезионные и механические свойства покрытий.
Разработанные технологии позволяют получать тонкопленочные материалы, композиты и гетероструктуры нового поколения, которые находят применение в технологиях электронного, оборонного, авиационного и космического комплексов, на предприятиях точного машиностроения и приборостроения, предприятиях энергетического комплекса, учреждениях медицины и других ведомствах.
Технологические разработки МИРЭА в 2011 году отмечены премией Правительства Российской Федерации в области науки и техники (распоряжение Правительства РФ от 06 февраля 2012 г. № 146-р).

Табл. 1

Основные типы пленочных диэлектрических материалов,разработанных в МИРЭА

Материал Метод / характеристики материала Применения
неорганически-органические гибриды на основе силикатов SiO2-XRX золь-гель метод семейство метил- и фенил-модифицированных силикатов; k=3.0-3.8; термостойкость до 550 оС. планаризация изолирующего диэлектрика многоуровневых систем металлизации
нанопористые силикаты золь-гель метод материалы с открытой и закрытой пористой структурой с k=1.8-2.8 изолирующий диэлектрик многоуровневых систем металлизации, теплоизолирующие слои, оптически прозрачные слои с низким показателем преломления, жертвенные слои МЭМС, наноструктуры с упорядоченным расположением пор
силикаты и стекла БФСС золь-гель метод высокая термостойкость (более 1000 оС) изоляция транзисторных структур, клиновидное травление окисла, пассивация AIIIBV
простые оксиды TiO2 ZrO2 (Y2O3) золь-гель метод барьерные и стопорные слои
политетрафтор-этилен (-C2F4-)n полимеризация из газовой фазы в вакууме k=1.8-2.2 пассивирующие и изолирующие слои в полупроводниковой и МЭМС технологиях, приборостроении
фталоцианины

полимеризация из газовой фазы в вакууме k=1.8-2.2 электроника на органических полупроводниках, дисплеи, химические сенсоры газов
парилены

полимеризация из газовой фазы в вакууме термостойкость 250 - 400оС, модульные термоэлектрические охладители на эффекте Пельте, пассивирующие и изолирующие слои в полупроводниковой и МЭМС технологиях

Основные работы, опубликованные по результатам исследований:
  1. Vorotilov K.A., Orlova E.V., Petrovsky V.I. Sol-gel silicon dioxide films // Thin Solid Films. - 1992. - V. 209. - P. 188-194.
  2. Vorotilov K.A., Petrovsky V.I., Vasiljev V.A. Spin coating process of sol-gel silica films deposition: effect of spin speed and processing temperature // J. Sol-Gel Science and Technology. - 1995. - V.5. - P. 173-183.
  3. Vorotilov K.A., Petrovsky V.I., Vasiljev V.A., Sobolevsky M.V., Valeev A.S. ORMOSILS films: properties and microelectronic applications // J. Sol-Gel Science and Technology. - 1997. - V. 8. - P. 581-584.
  4. Валеев А.С., Воротилов К.А. Планаризация многоуровневой металлизации СБИС // Электронная промышленность. - 1994. - Вып. 6. - С. 22-26.
  5. Васильев В.А., Воротилов К.А., Сигов А.С., Валеев А.С., Шишко В.И., Волк Ч.П., Ковсман Е.П. Изолирующие слои многоуровневой разводки интегральных схем с низкой диэлектрической проницаемостью // Электронная промышленность.- 2004.- N4. - C.145-154.
  6. Васильев В.А., Серегин Д.С., Воротилов К.А. Нанопористые силикатные пленки, сформированные золь-гель методом // Наноматериалы и наноструктуры. – 2011, т. 2, № 3. – С.25-29.
  7. Иванов В.И., Лучников П.А., Сигов А.С. Ионные технологии в производстве изделий электронной техники. / Под ред. чл.-корр. РАН А.С. Сигова – М.: Энергоатомиздат, 2010. – 206 с.
  8. Лучников П.А., Рогачев А.А., Лучников А.П. Наноструктурные и морфологические свойства вакуумных фторполимерных пленок на кремнии // Нано- и микросистемная техника. - 2007, № 10(87). - С. 6-11.
  9. Лучников А.П., Сигов А.С., Лучников П.А. Микроструктура и электрофизические свойства вакуумных фторполимерных пленок для МЭМС и наноэлектроники // Нано- и микросистемная техника. - 2007, № 12(89). - С. 34-40.
  10. Буй М.В., Лучников П.А., Рогачев А.В., Сигов А.С. Релаксация дефектов в электрическом поле в вакуумных полимерных пленках // Известия ВУЗов «Физика». - 2010 , № 12/3. - С. 85-90.
  11. Рогачев А.А., Лучников П.А., Рогачев А.В. Особенности формирования наноразмерных фторполимерных пленок из газовой фазы на начальной стадии роста // Наноматериалы и наноструктуры. - 2010, №1, с. 35-44.
  12. Леонов Е.С., Лучников А.П., Пахомов Г.Л., Травкин В.В. Латеральная проводимость в двухслойных молекулярных гетероструктурах на основе фталоцианинов // Наноматериалы и наноструктуры. - 2010, №1. - С. 30-34.
  13. Ярмоленко М.А., Рогачев А.А., Рогачев А.В., Лучников П.А. Морфология и молекулярная структура наноразмерных композиционных плёнок на основе полиэтилена, осажденных из газовой фазы. // Наноматериалы и наноструктуры. - 2010, №3. - С. 45-48.
  14. Кондраченко Л.А., Леонов Е.С., Лучников П.А., Пахомов Л.Г., Травкин В.В. Процессы диффузии низкомолекулярных компонентов при формировании органических планарных наноструктур на основе фталоцианинов. // Наукоемкие технологии. - 2011, т. 12, № 7. - С. 25-33.
Интегрированные сегнетоэлектрические устройства.
Научным коллективом под руководством академика РАН А.С. Сигова создано новое направление - активные диэлектрики для элементной базы информационных систем, в рамках которого разработаны и проектируются энергонезависимые запоминающие устройства с возможностью эксплуатации в экстремальных условиях, неохлаждаемые матричные ИК-приемники, микроэлектромеханические системы и датчики.
Разработан полный цикл технологии формирования сегнетоэлектрических элементов, интегрированных с технологической базой микроэлектроники, включая синтез уникальных многокомпонентных пленокообразующих растворов, методы формирования слоев, их кристаллизации, методы контроля и интеграции с технологиями интегральных схем. Разработаны технологии формирования многокомпонентных оксидных гетероструктур на основе сегнетоэлектрических перовскитов: цирконата-титаната свинца, титаната бария-стронция, танталата висмута стронция. Организована лабораторная база по синтезу исходных соединений высокой чистоты. Разработаны новые принципы дальнейшего повышения скорости и объемов обработки информационных массивов путем создания устройств на основе сегнетоэлектрических наноструктур – новом типе материалов, полученных впервые в виде нанотрубок и наностержней.
В настоящее время данное направление становится одним из важнейших в области создания конкурентноспособных отечественных производств, а также создания стойких к экстремальным воздействиям устройств специального назначения.
В институте электроники реализуется исследовательско-образовательный комплекс в данном направлении. В частности, создана магистерская программа обучения «Технологии перспективной элементной базы микро- и наноэлектроники», включающая в себя ряд оригинальных курсов в области интегрированных сегнетоэлектриков. В процессе обучения студенты принимают непосредственное участие в исследовательских проектах, проводимых по заказам ведущих предприятий отрасли и научных фондов. Научный коллектив МИРЭА является одним из немногих научных групп в мировом сообществе, владеющих золь-гель технологиями формирования всех основных видов сегнетоэлектрических материалов, неорганически-органических гибридов, наноструктурированных оксидов.


Основные работы, опубликованные по результатам исследований:
  1. Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства: Монография / Под ред. чл.-корр. РАН А.С. Сигова. – М.: Энергоатомиздат, 2011. – 175 с. ил. ISBN 978-5-283-03308-2.
  2. Сигов А.С. Сегнетоэлектрические пленки в микроэлектронике // Соросовский образовательный журнал, 1996, N 10, с. 83-91.
  3. Воротилов К. А. , Сигов А.С. Сегнетоэлектрические запоминающие устройства // ФТТ, 2012, том 54, выпуск 5, с. 843-848.
  4. Воротилов К.А., Сигов А.С. Сегнетоэлектрические запоминающие устройства: перспективные технологии и материалы // Нано- и микросистемная техника, 2008, N 10, с. 30-42.
  5. Воротилов К.А., Сигов А.С., Романов А.А., Машевич П.Р. Формирование сегнетоэлектрических наноструктур для нового поколения устройств микро- и наноэлектроники // Наноматериалы и наноструктуры, 2010, №1, с. 45-53.
Система Orphus