Научно-технологический центр «Твердотельная СВЧ-электроника»

Сигов Александр Сергеевич
Научный руководитель
доктор физико-математических наук, профессор, академик РАН

Директор – Шамхалов Фарид Имирасланович, доктор экономических наук.

Заместитель директора - Сайфуллин Инсаф Шарифуллович, доктор химических наук, профессор.

Сидорова Ирина Николаевна
Заместитель директора
Адрес: Проспект Вернадского, 78, к13
IP: 6133
Тел: +7 499 215 65 65 доб. 6133
E-mail: sidorova@mirea.ru
Режим работы:
пн 9.00-18.00
вт 9.00-18.00
ср 9.00-18.00
чт 9.00-18.00
пт 9.00-17.00
Основные направления работы:

Научно-методическое сопровождение развития систем управления современных наукоемких производств:
· Разработка и внедрение систем управления целями и показателями;
· Разработка долгосрочной программы развития организации;
· Разработка системы управления знаниями;
· Разработка и внедрение системы управления бизнес-процессами организации;
· Разработка и внедрение системы непрерывного динамического планирования и контроля производства;
· Внедрение методологии быстрореагирующего производства (QRM – Quick Response Manufacturing);
· Внедрение технологий бережливого производства (LEAN);

Научно-методическое сопровождение по вопросам интеллектуальной собственности:
· Патентный поиск и патентные исследования в соответствии с ГОСТ 15.011-96, в том числе анализ тенденций развития техники, охраноспособности и патентоспособности;
· Экспертиза заявок на изобретения, полезные модели, промышленные образцы, товарные знаки, знаки обслуживания, наименования мест происхождения товаров;
· Проверка заявок на государственную регистрацию программ для ЭВМ, баз данных и топологии интегральных микросхем на соответствие установленным требованиям.
· Проверка документов, представленных на государственную регистрацию отчуждения исключительного права, на государственную регистрацию залога права;

Научно-техническое сопровождение ОКР по разработке РЭА в части выбора и применения ЭКБ:
· Разработка под требования Заказчика аппаратурно-ориентированной номенклатуры ЭКБ по микроэлектронике и СВЧ электронике в виде СФ-блоков, ИС, СВЧ МИС, многокристальных модулей по частным ТЗ;
· Подбор схемотехнических решений для выполнения требований Заказчика по электрическим параметрам, а также требования к внешним воздействующим факторам, включая специальные;
· Осуществление выбора необходимой номенклатуры ЭКБ, доступной к заказу
· Осуществление выбора необходимой номенклатуры ЭКБ из числа включенной в Перечень ЭКБ категории качества «ОС», «ОСМ» и «ВП»;
· Подбор ЭКБ отечественного производства категории качества «ОТК»,
· Подбор функциональных аналогов;
· Разработка электронных моделей ЭКБ отечественного производства для применения в САПР предприятия при проектировании РЭА;
· Проведение всех видов надёжностных расчетов по тепловым, электрическим и физическим нагрузкам;
· Разработка и корпусирование модулей на основе выбранной ЭКБ, в том числе в бескорпусном исполнении;
· Анализ и предложения по корректировке выбранной номенклатуры ЭКБ по требованиям Заказчика к электрическим параметрам, а также требованиям по надежности и стойкости к ВВФ;
· Подготовка технико-экономических обоснований применения номенклатуры ЭКБ категории качества «ОТК» для оформления Заключений на ее применение в составе РЭА;
· Проведение работ по анализу правильности применения ЭКБ в составе РЭА, подготовка карт рабочих режимов при эксплуатации ЭКБ;
· Проведение расчетно-экспериментальной оценки в части обеспечения требований по надежности, хранению, а также требований к ВВФ, включая специальные;
· Создание испытательных стендов для входного контроля поставляемой ЭКБ, проведение дополнительных и сертификационных испытаний;
· Проведение работ по оценке стойкости ЭКБ и РЭА к специальным требованиям по информационной безопасности и электромагнитной совместимости;
· Анализ отказов РЭА на испытаниях с целью выявления необходимой к замене ЭКБ, в том числе с проведением разрушающего физического анализа;
· Проведение работ по корректировке КД в части применения необходимой номенклатуры ЭКБ;
· Проведение работ по анализу применяемой ЭКБ, в части формирования замен по снятой с производства номенклатуре ЭКБ, с корректировкой схемотехнических решений или замены изделий pin to pin, в том числе на ЭКБ отечественного производства;
· Проведение анализа по отказам РЭА в эксплуатации и в процессе хранения, выявление некачественной ЭКБ и формирование предложений по модернизации блока аппаратуры или предложений по замене на функциональные аналоги.

Разработка ЭКБ частного применения:
Микросхемы и СФ-блоки на основе SiGe BiCMOS-технологии:
· Сложнофункциональные схемы (приёмники, передатчики, радары), СнК и СвК;
· СВЧ схемы (МШУ, БУ, квадратурные модуляторы и демодуляторы, делители частоты, логарифмические детекторы);
· Аналоговые схемы (драйверы, регулируемые усилители, перестраиваемые фильтры, дифференциальные усилители и пр.);
· Цифро-аналоговые схемы (синтезаторы частот, АЦП и ЦАП, цифровые детекторы).

СВЧ МИС на основе А3В5 (GaAs и GaN):
· Усилители на основе (МШУ, БУ, УМ, УРУ, ШПУ);
· Мощных СВЧ транзисторы на основе GaN;
· Устройства управления амплитудой и фазой (ФВ, АТТ, регулируемые усилители);
· Генераторы, управляемые напряжением на основе SiGe и GaAs HBT, в том числе с диэлектрическими резонаторами;
· Устройства преобразования частоты (умножители, смесители частот);
· Управляемые фильтры;
· Сложнофункциональные схемы (Core-Chip, системы радиовидения).
Аналогово-цифровые схемы (синтезаторы частот, АЦП и ЦАП, цифровые детекторы);
Корпуса для мощных СВЧ и силовых схем, транзисторов и модулей;
Автоматизированные измерительные стенды;
Стенды для электротермотренировки СВЧ изделий;
Проведение исследований и измерений СВЧ устройств в диапазоне частот от 0,01 до 40 ГГц.

Разработка проектов в сфере цифровой электроники:
Разработка систем измерения физических величин различной природы, в том числе:
· физических свойств газовых, жидких и твердых сред;
· измерение параметров движения (оригинальный блок обработки сигналов доплеровского сдвига частоты, по которому определяется перемещение, скорость и ускорение);
· электрических параметров изоляции высоковольтного оборудования (имеются приборы, занесенные в госреестр);
· напряженности электростатического поля;
· миосигналов (сигналов, формируемых мышцами), в том числе для систем управления протезами и экзоскелетами;
· цифровая обработка сигналов, основанная на вейвлет-анализе и Байесовской статистике.

Разработка цифровых «систем-на-кристалле» (СнК) и их прототипов на ПЛИС, например:
· спектрометр для МРТ томографа;
· мобильный беспроводной кардиограф;
· датчик угла поворота;
· разработка электропривода (имеется синхронный электродвигатель оригинальной разработки с высокой удельной мощностью);
· разработка, отладка и тестирование проектов на VHDL/Verilog;
· разработка процессов для СнК матричного, векторно-скалярного, RISC архитектуры и др.
· выполнение разработки на базе ПЛИС Xilinx по техническому заданию заказчика, имеются разработанные модули DDR, ETHERNET и др. Освоены методы повышения производительности проектов для ПЛИС среднего и большого объема.

Положение подразделения:
Приказ о введении в действие Положения