• Беспалов Алексей Викторович
    Директор

    105118, г. Москва, 5-я улица Соколиной горы, д. 22, 2 этаж, кабинет № 202А
    Телефон: +7 (495) 365-32-25

    E-mail: nc@mirea.ru

    Положение

    Основными функциями Наноцентра МИРЭА являются создание, совершенствование и применение методов, средств и методического обеспечения для комплексного исследования современной электронной компонентной базы.

    Наноцентр МИРЭА, с целью осуществления своих функций, решает следующие задачи:
    • создает и совершенствует современные и инновационные методы исследования ЭКБ;
    • создает экспериментальные образцы актуального аналитического оборудования для исследования ЭКБ и разрабатывает методическое обеспечение для его применения;
    • реализует исследовательскую, экспертную и аналитическую деятельность в области изучения конструктивных, физико-химических, схемотехнических и технологических особенностей построения современной ЭКБ;
    • проводит анализ отказов элементов ЭКБ на предмет определения функциональных и/или технологических причин выхода ее из строя и анализ особенностей ее функционирования;
    • изучает перспективные материалы для нужд микроэлектронной промышленности, а также изучает и создает наноструктурированные объекты и гетероструктуры;
    • проводит НИОКР в области обеспечения информационной безопасности ЭКБ и цифровых систем.
    • оказывает услуги по проведению верификационных исследований.
    • оказывает услуги по проведению специальной проверки ЭКБ.
    • разрабатывает и поставляет средства и методы защиты информации.
    • участвует в совместных научных проектах с ведущими российскими научными центрами в российских и зарубежных грантовых программах поддержки научных исследований.
  • Изучение перспективных материалов для нужд микроэлектронной промышленности, а также изучение и создание наноструктурированных объектов и гетероструктур.

    Публикации
    Статьи в журналах ВАК
    1. А. I. Stognij, N. N. Novitskii, S. A. Sharko, A. V. Bespalov, O. L. Golikova, and V. A. Ketsko. Fabrication of a Plane-Parallel Interface in Ni/PbZr0.2Ti0.8O3 Heterostructures // Inorganic Materials, 2012, Vol. 48, No. 8, pp. 832–835.
    2. А. В. Беспалов, О. Л. Голикова, С. С. Савин, А. И. Стогний, Н. Н. Новицкий. Формирование магнонных кристаллов с наноразмерными островками методом травления фокусированным ионным пучком // Неорганические материалы, 2012, том 48, № 12, с. 1–3.
    3. А. А. Geras’kin, O. L. Golikova, A. V. Bespalov, V. A. Ketsko. Synthesis and structure of Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4−δ film materials // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, September 2013, Volume 7, Issue 5, pp 892-895.
    4. А. И. Стогний, Н. Н. Новицкий, С. А. Шарко, А. В. Беспалов, О. Л. Голикова, A. Sazanovich, V. Dyakonov, H. Szymczak, М. Н. Смирнова, В. А. Кецко. Влияние толщины слоя кобальта на магнитоэлектрические свойства гетероструктур Co/PbZr0.45Ti0.55O3/CO // Неорганические материалы, 2013, том 49, № 10, с. 1090-1093.
    5. А. A. Geras’kin, , A. I. Stognii, N. N. Novitskii, A. V. Trukhanov, A. V. Bespalov, O. L. Golikova, E. N. Beresnev, M. A. Kop’eva, and V. A. Ketsko. Study of the Process of the Formation of Mg(FeO0.8Ga0.2)2O4–δ Films on Si // Russian Journal of Inorganic Chemistry, 2014, Vol. 59, No. 3, pp. 183–186.
    6. А. I. Stognij, N. N. Novitskii, S. A. Sharko, A. V. Bespalov, O. L. Golikova, A. Sazanovich, V. Dyakonovc, H. Szymczak, and V. A. Ketsko. Effect of Interfaces on the Magnetoelectric Properties of Co/PZT/Co heterostructures // Inorganic Materials, 2014, Vol. 50, No. 3, pp. 275–279.
    7. А. И. Стогний, Н. Н. Новицкий, В. А. Кецко, С. А. Шарко, Н. Н. Поддубная, В. М. Лалетин, А. В. Беспалов, О. Л. Голикова, М. Н. Смирнова, Л. Ю. Фетисов, А. О. Титова. Влияние состояния межфазных границ на величину магнитоэлектрического эффекта в пленках Со(Ni) на подложках PbZr0.45Ti0.55O3 и GaAs // Неорганические материалы, 2016, том 52, № 10, с. 1–7.
    8. O. N. Kondrat’eva, A. I. Stognii, N. N. Novitskii, A. V. Bespalov, O. L. Golikova, G. E. Nikiforova, M. N. Smirnova, and V. A. Ketsko. Synthesis Specifics of Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 Films on GaN // Russian Journal of Inorganic Chemistry, 2016, Vol. 61, No. 9, pp. 1080–1084.
    9. А.Л. Чехов, П.Н. Найденов, О.Л. Голикова, А.В. Беспалов, А.B. Стогний, Т.В. Мурзина. Магнитоплазмонные кристаллы: резонансные линейные и нелинейные магнитооптические эффекты // Физика твердого тела, 2016, том 58, вып.11, стр. 2171-2174.
    10. А. И. Стогний, М. В. Пашкевич, Н. Н. Новицкий, А. В. Беспалов, В. А. Кецко, F. Fettar, H. Garad. Послойное формирование многослойных наноструктур с объемоподобными свойствами парциальных слоев на примере Co/TiO2 // Неорганические материалы, 2010, том 46, № 7, с. 1–7.
    11. А.В. Беспалов, О.Л. Голикова, А.А. Евдокимов. Подложки для структур спинтроники на основе эпитаксиальных пленок нитридных полупроводников // Химическая технология, 2010, № 7, стр. 404-406.
    12. А.А. Гераськин, А.И. Стогний, М.В. Пашкевич, Н.Н. Новицкий, Б.А. Грибков, В.Л. Миронов, F. Fettar, H. Garrad, В.А.Кецко. Контролируемое получение наноразмерных пленок Со на Si(100) ионно-лучевым осаждением // Неорганические материалы, № 8, 2011.
    13. А.А. Гераськин, В.А. Кецко, Э.Н. Береснев, М.Г. Комова, М.А. Копьева, Н.Т. Кузнецов. Порошки MgAl0,4Fe1,6O4, получаемые сжиганием гелей. // Журнал неорганической химии, № 6, 2012.
    14. А.А. Гераськин, А.В. Труханов, А.И. Стогний, С.В. Труханов, В.А. Кецко. Кристаллическая структура и магнитные свойства наноразмерных пленок Mg(Fe0,8Ga0,2)2O4–δ на подложках кремния // Кристаллография, № 3, 2013

    Статьи в сборниках трудов конференций
    1. А. В. Беспалов, О. Л. Голикова, Н. Н. Новицкий, А. И. Стогний. Тезисы доклада «Металические маски Al и Be для травления Ш-N гетероструктур распылением медленными ионами кислорода». 9-я Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», 13-15 июня 2013 года, г.Москва.
    2. А.В. Беспалов, А.А. Гераськин, О.Л. Голикова, В.А. Кецко, Н.Н. Новицкий, А.И. Стогний. Наноразмерные пленки ферритов гранатов, шпинелей на кремнии: синтез и свойства // XVIII международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, 2014, Нижний Новгород.
    3. А.В. Беспалов, О.Л. Голикова, Н.Н. Новицкий, А.И. Стогний. О минимизации привнесенной дефектности при изготовлении магнитоплазмонных кристаллов комбинированным ионно-лучевым методом // XVIII международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, 2014, Нижний Новгород.
    4. С.И. Бабкин, В.Ю. Киреев, Т.В. Козырева, О.Л. Голикова, Е.П. Михальцов, А.С. Трохин. // Возможности оценки качества систем металлизации интегральных микросхем на основе алюминиевых сплавов различными методами // Технология микроэлектроники, 2003, № 5, с. 38.
    5. А.В. Беспалов, О.Л. Голикова, Н.Н. Новицкий, А.И. Стогний. О нелокальном перераспределении материала в окрестности дефектов роста в GaN при ионно-лучевой обработке. // Тез. докл. 7 Всероссийской конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», С-Пб., 2010, с. 234-235.
    6. А.В. Беспалов, О.Л. Голикова. Постростовая обработка пленок GaN в областях контактной металлизации. // Тез. докл. 7 Всероссийской конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», С-Пб., 2010, с. 195-196.
    7. А.В. Беспалов, О.Л. Голикова, А.А. Евдокимов. Подложки для структур спинтроники на основе эпитаксиальных плёнок нитридных полупроводников. // Химическая технология, 2010, № 7 с. 404-406.
    8. О.Л. Голикова, А.В. Беспалов, В.Я. Шкловер, П.Р. Казанский. 3D реконструкция микро- и наноразмерных объектов с использованием систем Dual Beam FIB/SEM, Тез. докл. XXIII Российская конференция по электронной микроскопии. Черноголовка, 2010, с.94.
    9. А.В. Беспалов, А.И. Стогний, Н.Н. Новицкий, А.С. Шуленков. Заращивание поверхностных дефектов в пленках GaN методом многоразового ионно-лучевого осаждения-переосаждения наноразмерного оксидного слоя. // Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». С-Петербург, 2008 г.
    10. А.И. Стогний, Н.Н. Новицкий, Е.В. Луценко, А.С. Шуленков, А.В. Беспалов, А.А. Евдокимов. Ионно-лучевое формирование прозрачного омического контакта Au/BeO на p-GaN // Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». С-Петербург, 2008 г.
    11. А.В. Беспалов, О.Л. Голикова, Н.Н. Новицкий, А.И. Стогний. О нелокальном перераспределении материала в окрестности дефектов роста в GaN при ионно-лучевой обработке // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», С-Петербург, 2010 г.
    12. А.В. Беспалов*, О.Л. Голикова. Постростовая обработка пленок GaN в областях контактной металлизации. Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», С-Петербург, 2010 г.
    13. А.В. Беспалов, А.И. Стогний, Н.Н. Новицкий, А.С. Шуленков. Заращивание поверхностных дефектов в пленках GaN методом многоразового ионно-лучевого осаждения-переосаждения наноразмерного оксидного слоя: Труды XIII Международного Симпозиума Нижний Новгород, 16-20 марта 2009 г.
    14. А. В. Беспалов. Применение сфокусированных ионных пучков для анализа поперечных сечений и дефектов роста методами СПЭМ и РЭМ в GaN. Труды XIV Международного Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 15-19 марта 2010 г.
    15. А. И. Стогний, М. В. Пашкевич, Н. Н. Новицкий, А. В. Беспалов, F. Fettar. Ионно-лучевое конструирование многослойных наноструктур Co/TiO2 с объемоподобными свойствами парциальных слоев. Труды XIV Международного Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 15-19 марта 2010 г.
    16. А.В. Беспалов, О.Л. Голикова, А.А. Евдокимов, В.И. Свитов, А.И. Стогний Применение метода ионно-лучевого препарирования для контроля заращивания наноразмерных дефектов в тонких пленках GaN. Материалы VI международного симпозиума "Водородная энергетика будущего, нанотехнологии и металлы платиновой группы в странах СНГ", Москва, МИРЭА, 6 ноября 2009 года.
    17. А.В. Беспалов, Е.Ю. Усачев, А.С. Сигов. Комплексный подход к решению задач анализа отказов изделий микроэлектроники с субмикронными размерами. Материалы конференции X Юбилейного Международного форума и выставки «Высокие технологии XXI века, 2009г.
    18. А.В. Беспалов. Контроль качества гетеростуктур, используемых в GaN СВЧ-транзисторах. // Международный форум «Микроэлектроника – 2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэдектронные модули». Республика Крым, г. Алушта, 26-30 сентября 2016 г. Москва: Техносфера, 2016. – 504 с., стр.392.
    19. А.В. Беспалов, В.В. Груздов, Е.Ф. Певцов. Входной и технологический контроль гетеростуктур, используемых в GaN СВЧ-транзисторах. // Международный форум «Микроэлектроника – 2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэдектронные модули». Республика Крым, г. Алушта, 26-30 сентября 2016 г. Москва: Техносфера, 2016. – 504 с., стр.392.
    20. А.В. Беспалов, О.Л. Голикова, С.С. Савин, А.И. Стогний, Н.Н. Новицкий, В.Г. Шадров. Комбинированное применение ионно-лучевых методов при формировании магнонных кристаллов: размерные ограничения и свойства. Труды XVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 2013 г., стр. 165-166.
    21. С.С. Савин, О.Л. Голикова, А.А. Гераськин, В.И.Свитов. Моделирование воздействия ионов галлия на структуры Au/Y3Fe5O12. Научно-техническая конференция НТК-62
    22. С.С. Савин, О.Л. Голикова, А.В. Беспалов, А.И. Стогний, Н.Н. Новицкий. 2D наноразмерные магнонные кристаллы, 5-ая Всероссийская конференция молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и их применение» им. Ю.В. Дубровского, 2010 г.
    23. С.С. Савин, А.В. Беспалов, О.Л. Голикова, А.А. Евдокимов. Применение метода SRIM для конструирования магнон-поляритонных кристаллов на примере структуры Pt/(LuBi)3Fe5O12. Научно-техническая конференция НТК-61
    24. Седов В.С., Ральченко В.Г., Сизов А.И., Булычев Б.М., Конов В.И., Савин С.С., Звукова Т.М., Хомич А.А., Осаждение микрокристаллических алмазных пленок в СВЧ плазме на подложках с полимерным прекурсором // Материалы 7-й Международной конференции «Углерод: фундаментальные проблемы науки, материаловедение, технология»., 2010. С. 340-342.
    25. С.С. Савин, О.Л. Голикова, А.В. Беспалов, А.И. Стогний, Н.Н. Новицкий. 2D наноразмерные магнонные кристаллы, 5-ая Всероссийская конференция молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и их применение» им. Ю.В. Дубровского, 2010 г.
    26. V. S. Sedov, S.S. Savin, A.I. Sizov, V.G. Ralchenco . Microwave plazma chemical vapor deposition of polycrystallin diamond films on polymer precursor // Тезисы докладов международного форума по нанотехнологиям – Rusnanotech 2011, 26-28 откября 2011 года, Москва.
    27. Седов В.С., Ральченко В.Г., Сизов А.И., Звукова Т.М., Власов И.И., Булычев Б.М., Конов В.И., Савин С.С., Совык Д.Н., Хомич А.А. Осаждение микрокристаллических алмазных пленок в СВЧ плазме на подложках с полимерным прекурсором // Intermatic-2010 Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения». М: Энергоатомиздат. 2010. С. 79-82.
    28. П.Н. Найденов, О.Л. Голикова, С.С. Савин, А.А. Гераськин, А.В. Беспалов. Синтез симметричных магнитоплазмонных кристаллов типа Bi3Fe5O12/Au/(BiTm)3(FeGa)5O12 методами ионно-лучевой инженерии // Тезисы докладов V Международной научной конференции «Наноструктурные материалы-2016: Беларусь-Россия-Украина» Нано-2016, 22-25 ноября 2016, Минск, с. 513-514.
    29. С.С. Савин1, А.А. Евдокимов1, П.Н. Найденов2, О.Л. Голикова1. Анализ интерфейсов субмикронных пленочных структур YIG/Si и YIG/GaN // Тезисы докладов V Международной научной конференции «Наноструктурные материалы-2016: Беларусь-Россия-Украина» Нано-2016, 22-25 ноября 2016, Минск, с. 520-522.
    30. А.А. Гераськин, В.А. Кецко. Синтез и структура пленок Mg(Fe0,8Ga0,2)2O4 на кремнии // Тезисы докладов Всероссийской молодежной конференции «Актуальные проблемы нано– и микроэлектроники», Уфа, 2012
    31. А.А. Гераськин, А.В. Труханов, А.И. Стогний, Н.Н. Новицкий, С.В. Труханов, А.Н. Васильев, В.А. Кецко. Кристаллическая структура и магнитные свойства наноразмерных пленок Mg(Fe0,8Ga0,2)2O4–δ на подложках кремния // Сборник трудов XXII Международной конференции «Новое в магнетизме и магнитных материалах», Астрахань, 2012
    32. А.А. Гераськин, Э.Н. Береснев, В.А. Кецко, М.А. Копьева. Синтез мелкодисперсного порошка MgGa0,4Fe1,6O4. // Тезисы докладов III Международной научной конференции «Наноструктурные материалы-2012: Россия-Украина-Беларусь», Санкт-Петербург, 2012.
    33. А.А. Гераськин, А.В. Труханов, Н.Н. Новицкий, В.А. Кецко. Сравнительный анализ свойств пленок Mg(Fe0,8Ga0,2)2O4–δ с толщинами 200–2000 нм на Si // Сборник докладов Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела» ФТТ-2013, Минск, 2013.
    34. А.А. Гераськин В.А. Кецко, А.И. Стогний, Н.Н. Новицкий. Роль межфазных границ в создании нового поколения пленочных материалов и покрытий для устройств электроники // Тезисы докладов XXII Всероссийского совещания по температуроустойчивым функциональным покрытиям, Санкт-Петербург, 2012
    35. А.А. Гераськин, М.Н. Смирнова. Синтез пленок состава MgGa0,4Fe1,6O4 с термостабильными границами // Сборник тезисов V-й Всероссийской конференции молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и их применение» им. Ю.В. Дубровского, Черноголовка, 2012

  • Беспалов Алексей Викторович
    Директор Наноцентра МИРЭА
    Кабинет № 202А

    Телефон: +7 (917) 528-10-32
    E-mail: Bespalov_a@mirea.ru


    Гераськин Андрей Александрович
    Заместитель директора
    Кабинет №202Б

    Телефон: +7 (916) 843-18-95
    E-mail: geraskin_a@mirea.ru


    Богомолов Андрей Игоревич
    Начальник отдела прикладной диагностики
    Кабинет №234

    Телефон: +7 (915) 353-07-16
    E-mail: ai_bogomolov@mirea.ru


    Савин Сергей Сергеевич
    Инженер
    Кабинет №230

    Телефон: +7 (926) 334-75-44
    E-mail: savin@mirea.ru


  • Почтовый адрес:
    105118, г. Москва, 5-я улица Соколиной горы, д. 22, 2 этаж

    Телефон:
    +7 (495) 365-32-25

    E-mail:
    nc@mirea.ru
Система Orphus